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"Some common intrinsic semiconductors are single crystals of silicon, germanium, and gallium arsenide."
常用的本质半导体是硅、锗以及砷化镓等的单晶。
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The safe, effective and easy method was provided for treating the hypersensitive dentine by use of semiconductor laser.
半导体激光治疗为一种安全、有效、方便的牙本质过敏症的治疗方法。
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Objective Observation of clinical results and SEM features in treatment of hypersensitive dentine by semiconductor laser.
目的 通过临床和扫描电镜观察半导体激光治疗牙本质过敏症的作用，并探讨其作用机制。
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Methods Semiconductor laser was compared with conventional NaF method for the treatment of 100 teeth with typical hypersensitive dentine which were divided into two groups.
牙本质过敏的患牙100颗，分为两组，一组用半导体激光治疗，一组用常规氟化钠脱敏。
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According to Semiconductor Industry Association of United States,"semiconductor industry is the multiplicator to the US economy". On the one hand, semiconductor industry puts other industries to shame, while on the other hand it is a precondition to the development and prospers of other industries. SIA also points out that essentially, it is the semiconductor that stimulates the progress of electronic products.
美国半导体工业协会称"美国半导体工业是美国经济的倍增器"，并指出半导体是一种使其他所有工业黯然失色，又使其他工业得以繁荣发展的技术，半导体在本质上驱动着所有电子产品的进步。
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Summary : LED and LD are the nature of the semiconductor diode.
LED和LD本质都是半导体二极管。
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It was testified by SEM that the dentinal tubule was sealed by semiconductor laser irradiation.
扫描电镜显示，用半导体激光仪照射后，牙本质小管口被封闭。
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The laser irradiation of 0.4/300s can better blocked dentinal tubule orifice, and will not cause crack and pit.
激光功率0.4W，照射时间300s条件下，牙本质小管封闭厚度较厚，且不出现凹坑现象，可作为半导体激光脱敏的最佳参考数值。
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combinational circuit：组合电路
全球半导体产业的制程技术依照Moore's Law推估的速度持续成长,然而IC设计技术却远落於后,所以灵活应用公司内部的设计重复使用(Design Reuse)或大量引用外背景介绍 Combinational ATPG是一个Branch and Bound的演算法,它的本质是在组合电路(Combinational Circuit)内找到适合的输入向
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degenerate：退化
需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体"退化"(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大. 以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间.
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Extrinsic semiconductor：外质半导体
而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响. 硅有四个价电子,常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素. 当只有三个价电子的三价元素如硼(boron)掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受体的角色,
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fermi level：费米能阶
[9]VFB = 平能带(flatband)电压φF = 费米能阶(Fermi level)到本质费米能阶φms = 闸极与半导体提取位能(extraction potentials)的差距透过一些技巧可达到低临界电压值,例如修正闸极绝缘层的厚度(我们将在稍后说明).
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intrinsic semiconductor：本质半导体
掺杂进入本质半导体(intrinsic semiconductor)的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响. 而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带(band)宽度不同
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semiconductor; intrinsic：本质半导体
杂质半导体 semiconductor, impurity | 本质半导体 semiconductor, intrinsic | n 型半导体 semiconductor, n type
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photodiode：感光二极管
CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称为金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别,都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,这种转换的原理与太阳能电子计算机的太阳能电池效应相近,
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intrinsic resistivity：内在电阻率
内在斥力场 intrinsic repulsive field | 内在电阻率 intrinsic resistivity? | 本质半导体 intrinsic semiconductor