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There are two parts in this thesis. Part I focuses on the transient effect in InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistors. Part II focuses on the P memory effect and buffer-layer-quality determination using C-V measurement in AlGaAs/GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors. The characterization of hydrogen passivation for InGaP HBTs grown on semi-insulating GaAs substrates is studied. The transient effect caused by hydrogen passivation results the current gain ?
本论文分两部分，第一部份讨论在磷化铟镓的异质接面双载子电晶体中，由於氢的包覆效应产生的特性之研究，由於氢在此种元件中所造成的载子包覆现象是引起电流增益增加的暂态现象的主要原因，本论文提出一个计算氢包覆比例的模型，并与SIMS量测的结果相比对，经过几次热回火处理，此种暂态效应可以被消除。
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Square Kilometer Array,SKA：平方千米天线阵
salt finger 盐指 | Square Kilometer Array,SKA 平方千米天线阵 | transient phenomena 暂现现象