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Another MCU, 89C2051 is used to realize the control of the three rows LED monitor showing coordinates of axis X and Z axis and other state of the system. Charnel A and C of 8155 are used for editor keyboard, which make the inputting or editing of the NC code and data possible. Charnel P1 of 8031 is used for the operation keyboard such as system power on/off and movement of axis X or Z. a programmable parallel I/O chip, 8255, is used to achieve system I/O and the transmission of other information. In summarize, the system developed is characterized by its simplicity, low development cost and high reliability.
在CPU存储器扩展电路设计中， CPU选用MCS-51系列的8031单片机，外扩32K的程序存储器和 8K的数据存储器，分别用于存放系统管理程序、数控加工程序以及运算数据；在显示电路设计中，选用MCS-51系列的89C2051单片机作为从CPU，控制三排LED显示器，用于X轴、Z轴动态坐标以及相关数字的动态显示；在手动键盘和编辑键盘设计中选用8155芯片的PA口和PC口作为行、列母线，扩展矩阵式编辑键盘，用于程序和数据的输入或编辑，同时选用8031单片机的P1口扩展手动键盘，用于系统启动、停止以及运动部件在X、Z轴方向的手动控制；在I/O口扩展电路设计中选用8255芯片扩展输入输出口，用于接收和传送开关量及相关信息。
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With increasing defect density, the number of defective cells would be increase. Adding spare rows or columns in memories to replace defective cells is a widely accepted method for yield enhancement.
随着缺陷密度的增加，在存储器中设计冗余行或冗余列替换有缺陷的存储器单元已成为提高存储器成品率的常用方法。
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With the development of modern science and technology, the ever-increasing demands for nonvolatile memories such as ferroelectric field effect transistor memory, have led to the intensive search for a new kind of material.
随着现代科技的发展，对非挥发存储器(如铁电场效应晶体管FeFET存储器)的需求与日俱增，从而导致了对新的存储器材料的研究与探索的热潮。
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This paper analyzes fault model of NOR type flash memory and test algorithm to test memory. On this base, a BIST controller for flash memory is designed.
分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法，在此基础上，设计了flash存储器的内建自测试控制器。
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After comprehensively analyzing the requirements of avionics'information sharing and avionics'characteristics, we developed a global bulk memory architecture, consisting of memory modules, which is based on only one kind of memory module.
分析了航空电子系统信息共享的需求，结合航空电子系统应用特点，提出了仅以一种存储器模块为基础，通过互连多个存储器模块构成的全局存储器的体系结构，完成了该全局存储器的设计与实现。
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PLC controllers were used earlier instead of PLASH memory and have had EPROM memory instead of FLASH memory which had to be erased with UV lamp and programmed on programmers.
PLC 控制器比快擦型存储器使用得更早， EPROM 存储器比快擦型存储器也更早，快擦型存储器必须用紫外线（ UV ， Ultra-Violet Ray ）灯擦除，并在编程器上进行编程。
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There is provided a hard disk drive power reduction module. A data storage system for a computer including low power and high power modes, comprising low power nonvolatile memory; high power nonvolatile memory; and a drive power reduction module that communicates with said LP and HP nonvolatile memory, wherein when read data is read from said HP nonvolatile memory during said low power mode and said read data includes a sequential access data file, said drive power reduction module calculates a burst period for transfers of segments of said read data from said HP nonvolatile memory to LP nonvolatile memory.
本发明提供一种数据存储系统，其用于具有高功率和低功率模式的计算机，所述数据存储系统包括：低功率LP永久性存储器；高功率HP永久性存储器；和与所述低功率和高功率永久性存储器通信的驱动功率减少模块，其中，在所述低功率模式期间当从高功率永久性存储器读取读数据时，且所述读数据包括顺序存取数据文件，所述驱动功率减少模块计算一个突发周期，用于把所述读数据片断从所述HP永久性存储器传送到所述LP永久性存储器。
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External RAM is RAM memory that resides off-chip. This is often in the form of standard static RAM or flash RAM.
外部随机存储器是指存在于片外的随机存储器，它通常是标准静态随机存储器或是闪速随机存储器。
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The mutiple-input mutiput-output logic function of vertex in state transition graph represents output of related state and the single output logic function represents state transition condition; we use a 8-tuple NetList to represent the structure implement of the result of controller synthesis.
状态转换图顶点中的多输入多输出逻辑函数表示对应状态的输出，图中边上的单输出逻辑函数表示状态转移条件；用一个八元组NetList表示控制器综合结果的结构实现，八元组包括输入符号，输出符号，状态存储器的输入，输出网络，状态转换网络，状态存储器，状态存储器的输出和状态存储器的初始输出。
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According to one embodiment, a method of coherency management in a data processing system includes holding a cache line in an upper level cache memory in an exclusive ownership coherency state and thereafter removing the cache line from the upper level cache memory and transmitting a castout request for the cache line from the upper level cache memory to a lower level cache memory.
根据一个实施例，数据处理系统中一致性管理的方法包括：在处于独占所有权一致性状态的较高级别高速缓存存储器中保存高速缓存线，以及其后从较高级别高速缓存存储器移除高速缓存线，并且从较高级别高速缓存存储器发送对高速缓存线的掷出请求到较低级别高速缓存存储器。
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alterable memory：可改写存储器,可变存储器
alterable memory 可变存储器 | alterable memory 可改写存储器,可变存储器 | EAROM alteration switch 变换开关
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EPROM：可擦可编程只读存储器
这包括所有形式的只读存储器(ROM),像是可编程只读存储器(PROM),可擦可编程只读存储器(EPROM),电可擦除只读存储器(EEPROM)和闪存. 它也包括电池供电的随机存取储存器 (RAM).
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EPROM：可擦可编程序只读存储器
因而常用于存储各种固定程序和数据. 除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同. 为便于使 用和大批量生产 ,进一步 发展可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只
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extended memory：扩展存储器
数据进行存取操作就是通过存储器地址进行的. 主存储器有随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种类型. RAM 是计算机主存储器系统中的主要组成部分,对其单元的存取2) 扩展存储器(Extended Memory)和扩充存储器(Expanded Memory)
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external memory：外存存储器;外置存储器
external interrupt 外部中断 | external memory 外存存储器;外置存储器 | external memory interface 外置存储器接口
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external store：外部存储器,外存储器
external storage 外存储器=>外部記憶装置 | external store 外部存储器,外存储器 | external straight turning 外直线车削
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nonvolatile memory：非易失性存储器
从存储器所存储的数据的挥发性角度,存储器可以划分为易失性存储器VRAM(Volatile Memory)和非易失性存储器(Nonvolatile Memory)两大类. 易失性存储器是指存储芯片在外部电源掉电后数据就挥发、丢失掉了,而非易失性存储器的数据不会因电源的存在与否而改变,
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erasable read-only memory：可擦除只读存储器,可擦只读存储器
erasable programmed read only memory 可擦可编程序只读存储器 | erasable read-only memory 可擦除只读存储器,可擦只读存储器 | erasable storage 可擦存储器,可清存储器=>消去可能記憶装置
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volatile memory：易失性存储器
易失性存储器(Volatile memory)是指的是当电源供应中断后,存储器所存储的数据便会消失的存储器. 主要有以下的类型:非易失性存储器(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断,存储器所存储的数据并不会消失,重新供电后,就能够读取内存数据的存储器. 主要有以下的类型:
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multiport memory：多端存储器,多端口存储器,多进出口存储器,多口存储器
multiport coupler 多端口耦合器 | multiport memory 多端存储器,多端口存储器,多进出口存储器,多口存储器 | multiport memory system 多端口存储器系统,多端口存储系统