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SBD is the use of metal and semiconductor contact with the formation of metal - semiconductor barrier made of, so it is a thermal emission diode, with the manufacturing process of continuous improvement and the emergence of special materials, Schottky barrier gate and high-speed FET Large-scale integrated circuit and ultra-large-scale integrated circuits wide field of applications, Schottky diodes on the application of more and more widely.
SBD是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体势垒制成的，因此，它是一种热电子发射二极管，随着制造工艺的不断完善及特殊材料的出现，肖特基势垒栅FET及其高速大规模集成电路和超大规模集成电路领域的广泛应用，肖特基二极管的应用范围也越来越广。
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The effects of AlN spacer layer on AlGaN/GaN HEMTs are studied, and the results show that the insertion of AlN spacer layer can improve gate schottky barrier and decrease gate leakage current.
研究了AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响，结果表明，AlN阻挡层的增加提高了栅肖特基势垒，增加器件的关断电压，降低了栅泄漏电流。
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SBD is theuse of metal and semiconductor contact with the formation of metal- semiconductor barrier made of, so it is a thermal emission diode,with the manufacturing process of continuous improvement and theemergence of special materials, Schottky barrier gate andhigh-speed FET Large-scale integrated circuit andultra-large-scale integrated circuits wide field ofapplications, Schottky diodes on the application of more and morewidely.
SBD是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体势垒制成的，因此，它是一种热电子发射二极管，随着制造工艺的不断完善及特殊材料的出现，肖特基势垒栅FET及其高速大规模集成电路和超大规模集成电路领域的广泛应用，肖特基二极管的应用范围也越来越广。
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The effects of DMSG structure on channel electrostatic potential and channel potential is taken into account, and the relation between the length of control gate and the short channel effects is analyzed.
模型考虑了异质围栅结构对沟道表面势和沟道势垒高度的影响，分析了控制栅长度与器件短沟道效应之间的关系。
- 更多网络解释与势垒栅相关的网络解释 [注：此内容来源于网络，仅供参考]
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sea clutter：海面杂乱回波
sdfet 肖特基势垒栅场效应晶体管 | sea clutter 海面杂乱回波 | sea clutter simulation 海面反射模拟
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gaas fet：砷化镓结型N沟道场效应晶体管
GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管 | GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管 | SB肖特基势垒栅场效应晶体管
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gaas fet：砷化镓结型N沟道场效应电晶体
GE-P-FET 锗P沟道场效应电晶体 | GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应电晶体 | SB肖特基势垒栅场效应电晶体
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sb fet：肖特基势垒栅场效应晶体管
sawtooth pulse 锯齿波脉冲 | sb fet 肖特基势垒栅场效应晶体管 | sbc 标准埋层集极
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sb fet：肖特基势垒栅场效应电晶体
sawtooth pulse 锯齿波脉冲 | sb fet 肖特基势垒栅场效应电晶体 | sbc 标准埋层集极
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barrier gate：势垒栅
电源中断方面,通过在电源域之间插入势垒栅(Barrier Gate)进行了处理. "即使是DFT工具自动插入的电路,也必须插入势垒栅. 但由于并不是DFT的设计人员亲自在设计,所以手动设计的势垒栅的插入很容易出现错误"(中山). 因此,
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schottky barrier gate：肖特基势垒栅
schottky barrier 肖特基势垒 | schottky barrier gate 肖特基势垒栅 | schottky barrier gate fet 肖特基势垒栅场效应晶体管
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schottky barrier gate fet：肖特基势垒栅场效应晶体管
schottky barrier gate 肖特基势垒栅 | schottky barrier gate fet 肖特基势垒栅场效应晶体管 | schottky barrier mos 肖特基势垒栅金属氧化物半导体
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schottky barrier gate fet：肖特基势垒栅场效应电晶体
schottky barrier gate 肖特基势垒栅 | schottky barrier gate fet 肖特基势垒栅场效应电晶体 | schottky barrier mos 肖特基势垒栅金属氧化物半导体
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variable section schottky barrier gate：变截面肖特基势垒栅
variable section bar ==> 变断面杆件 | variable section schottky barrier gate ==> 变截面肖特基势垒栅 | variable selection ==> 变量选择