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Companies TSMC and UMC will begin to use a immersion lithograph of the within the framework 45 nm technical process or even earlier.
公司台积电和联华电子将开始使用沉浸光刻的框架内与45纳米技术的过程中或什至更早。
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Study on computer simulation of proximity lithography.
接近式光刻的计算机模拟研究。
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According to the demand of high data density of IC devices,higher photolithography resolution is required.
随着IC集成度的提高，要求越来越高的光刻分辨力，但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径和曝光波长的限制。
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Photopolymerization materials used in stereolithography and their recent advance.
用于立体光刻的光聚合材料及其发展。
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The study of this dissertation analyses the focus system technology, which is the key technology of curve plane surface lithographic fabrication techniques.
本文重点讨论了曲面光刻的关键技术——自动调焦系统，并对曲面工艺及光刻线条进行实验分析。
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Finally, with the method of coating and lithography, serrated diffractive aperture is manufactured.
最后，提出采用镀膜结合光学光刻的方法，制作了锯齿型衍射光阑。
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And TM was carefully added to the solution of photo-PAE to form a PSPI solution containing TM. The composite filmcast from PSPI-TM can be developed using NMP. When the content of Ti〓 incomposite film was beyond 3%, a heateddeveloper had to be used for the successful development of the composite film.Compared with corresponding ester-type PSPI, D〓 of PSPI-TM increasedrapidly with the content of TM in the composite.
光刻实验发现这种含TM的PSPI光刻胶膜比相应的酯型PSPI光刻胶膜难显影，一般需NMP这样的强溶解性能的溶剂作为显影液，才能顺利显影，当Ti〓含量大于3％(基于酰亚胺化后PI的量)，必须升高温度才能顺利显影；这种含 Ti的PSPI光刻胶在感光性能上也比相应的酯型PSPI光刻胶低很多倍，形成50％留膜率所需的曝光剂量随TM含量的增加，而大幅度地增加。
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Perpendicular waveguide input and output section that is on the baseplate links that on the cuboid structure by bent waveguide of s shape.
本发明公开了一种三维多层垂直耦合光互连结构及其软光刻的制作方法。
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What is disclosed includes OD-doped synthetic silica glass capable of being used in optical elements for use in lithography below about 300 nm.
本发明揭示了OD-掺杂的合成二氧化硅玻璃，它能够用于在约低于300纳米下进行光刻的光学元件中。
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However, both physical constraints and economics are expected to limit continued miniaturisation of electronic and optical devices by using current "top-down" lithography-based methods.
然而，物理系统规定参数和经济学均被期望限制继续电子产品和光学装置的通过现行的自顶向下基于晶片光刻的方法的小型化。
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self alignment：自对准
记忆元件的形成采用了基于自对准(Self Alignment)技术的"Wall"架构. 在钨触头(W Contact)上设置薄膜纵向加热器元件,然后在其上面直接形成GST,最后自对准地进行蚀刻并制出位线(Bit Line). 通过采用Wall架构,可加大光刻的定位边缘(Positioning Margin).
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electron beam lithography：电子束光刻
M.救机器人却难以产生令人满意的效果,根据美国国家标准技术局(NIST)的研究报告,用(ISM)频段抑或是同时采用其附加的最小化系统间干扰的标准,都不能保证机器人度芯片的电子束光刻(electron beam lithography)工艺要求使用大型设备,
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Facet：刻面
顶面(Table Facet)宝石冠部的中央刻面. ...乳房状(mammillated)光滑的圆形. ...刻面(Facet)切磨或抛光宝石的表面.
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hydrothermal：热液的
热液的 (Hydrothermal) 指由岩浆的热液活动而引起的矿物的顶面 (Table Facet) 宝石冠部的中央刻面. 乳房状 (Mammillated) 光滑的圆形. 刻面 (Facet) 切磨或抛光宝石的表面. 岩石 (Rock) 由一种或多种矿物组成的材料.
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lithography：光刻
[北京]优纳科技与其日本控股公司共同完成无掩模(Maskless)光刻(Lithography)设备的研发,成为国内第一台基于数字微反射(DMD)技术实现的无掩模光刻的设备,该设备可广泛应用于纳米电子,平板显示,半导体,MEMS,μTAS,LCD,s生物芯片,
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photolithographic：光刻法的
photokymograph 记录照相机 | photolithographic 光刻法的 | photolithography 影印石版术
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photolithography：光刻法
微小化及平行化的形成式制成晶片,三者中以基因晶片技术最为成熟.基因晶片依DNA样品制备的方式不同又可分为数种.第一种是Affymetrix公司研发出的光学光刻法(photolithography)与化学合成法相结合的光引导原位合成法(light-directed synthesis),
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photolithography：光刻
在半导体或LCD制造过程中,光刻(photolithography)是最关键也是最困难的步骤. 光阻剂、蚀刻液与显影液需透过旋转喷涂/浸渍喷涂方式,才可以在晶圆与玻璃基板面板上完成制造(fabrication). 面对强酸碱化学物质与高温等极为严苛的制造环境,
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photoetch：光蚀刻,光刻[技术];照相板,影印板
photoelectric a.光电的 | photoetch 光蚀刻,光刻[技术];照相板,影印板 | photofabrication 光刻法,照相化学腐蚀制造法
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photoinactivation：光纯化作用
photohyalography 光照蚀刻术 | photoinactivation 光纯化作用 | photoinduced 光致的,光感生的