junction transistor
- junction transistor的基本解释
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[计] 结式晶体管
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This paper describes a detailed analysis of conversion properties of junction transistor s.
本文讨论面结型晶体管变频性能的分析。
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There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown.
有两个限制了晶体管的处理能力,功耗:平均交界处的温度和二次击穿。
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The concepts described above are embodied in the junction transistor.
上述各种概念都反映在结型晶体管中。
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Shockley had continued his semiconductor work, and in 1948 patented the modern junction transistor.
Shockley在1948年已获专利的现代面结型晶体管上继续进行半导体器件的研究工作。
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The grown junction transistor becomes the first devise with enough predictability and dependability to use in a range of consumer goods.
生长型晶体管成为第一个制定有足够的可预见性和可靠性使用了一系列消费品。
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junction transistor:接面电晶体
果然在1948年"接面电晶体"(junction transistor)就被制造出来了. 接面电晶体或称双极电晶体共有二个接面(junction);这二个接面把半导体分为三个区域分别称为射极(emitter),基极(base)及集极(collector),从射极流向集极的电流可以用基极的微小讯号来控制,
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junction transistor:接面晶体管
另一方面,就在点接触电晶体发明整整一个月后,萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法,在萧克莱的构想中,使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针,藉由调节中间p型层的电压,就能调控电子或电洞的流动,
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junction transistor:面结型晶体管
809 、 面板车削法 face plate turning | 810 、 面结型晶体管 junction transistor | 811 、 面罩 face mask
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junction transistor:接型晶体管
junction surface 连接面 | junction transistor 接型晶体管 | juncture 连结点
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alloy junction transistor:合金结晶体管
alloy junction 合金结 | alloy junction transistor 合金结晶体管 | alloy transistor 合金晶体管
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