epitaxy ['epitæksi]
- epitaxy的基本解释
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n.
[晶](晶体)取向附生, 外延附生
- 相关中文词汇
- 外延附生
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Firstly, the theory and fabrication of molecular beam epitaxy are described in detail.
本文首先详细介绍了分子束外延设备的原理和构造。
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In epitaxy experiments, the substrate is always thought to be smooth and uniform.
由于缺少必要的参数，还不能使用这个公式直接计算岛的大小，但是可以利用这个公式定性的解释其他的一些实验现象。
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These devices are fabricated utilizing molecular beam epitaxy manufacturing techniques and feature rugged construction and consistent electrical performance.
这些设备是利用分子束外延制备的制造技术和坚固的结构和功能一致的电气性能。
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The higher value is comparable to those obtained in CVD epitaxy.
这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。
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The results indicate that the low temperature epitaxy process is an acceptable method for the preparation of device quality GaAs l...
结果表明，低温外延是制备较高质量外延层的一种可取方法。
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epitaxy：外延
许多发光器件使用单晶.根据不同的器件要求,单晶的种类,大小以及生长方法是各种 0 各样的.有的晶体,要在 2000 C高温下用提拉法生长;有的在室温下在溶液中生长;有的在 同类晶片上在气相或液相中外延(epitaxy)生长:有的则因得不到所需尺寸的同类晶片作 衬底,
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epitaxy：外延生长
据,并对运算误差 进行分析. ......... 数字电子钟设计 共射极基本放大电路分析 外延生长(Epitaxy) 电视监控系
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epitaxy：磊晶成长
而呈现半停滞的状态,由於DVD烧录机目前除了规格之争,在效能上也还不能令人满意,因此仍有许多发展的空间.现今的DVD-R/RW均需在AlGaInP ridge LD上作二次磊晶成长(epitaxy),以便增强雷射二极体的工作效能.然而二次磊晶在制程良率上偏低,
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epitaxy：磊晶
一般而言,"CVD" 所指的是非晶形薄膜的成长,这种成长方式归类于"沉积"(Deposition);而"VPE"所指的是具有晶形的薄膜成长方式,这种方式归类于"磊晶"(Epitaxy).
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silicon epitaxy：硅外延
silicon disk 硅磁盘 | silicon epitaxy 硅外延 | silicon gate 硅栅极
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