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网络解释

非定态

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positron annihilation

正电子湮没

并进一步利用"低速正电子湮没(positron annihilation)测定"法得知,产生非辐射复合的点缺陷在InGaN中比GaN多,正电子的移动距离不足4nm,几乎不动. 无论是被捕捉到In与N的定域态部分,还是点缺陷中,正电子的传播长度都会缩短. 作为InGaN来说,

radiative recombination

辐射复合

高亮度发光的原理是在空穴和电子因结晶缺陷而进行无益于发光的非辐射复合(non-radiative recombination)之前,大量空穴被捕捉到InGaN混晶内部聚集有In和N的"定域态(localized state)"部分,这部分空穴和电子通过辐射复合(radiative recombination)即可发光.

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