被蚀刻的

adsorb

吸附

此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching) 去除部份切削痕迹 再经去离子纯水贴在研磨垫(Polishing Pad)磨擦 并同时滴入具腐蚀性的化学溶剂当研磨液让面 这些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb) 通常芯片会以热的

delay

延迟

"推动"(boost)或"延迟"(delay)参数的工具,也可以在参数渐增过程中逐步采用. 自Bosch交换式工艺商业问市以来,从简单的诱导式电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统开始被应用,到目前最新的深层反应离子刻蚀(DRIE)系统,己经有了相当多的演变发展.

Deneb

天鹅座( 天津四

那是一片被重质量的星所发出的恒星风以及辐射所蚀刻, 近看一些被蚀刻的云气有些藏新星形成的 徵兆. 塘鹅星云被归类为IC 5070,大约距离我们 2,000 光年远,只要在北方的天鹅座天津四 (Deneb)就可以找到它.

dolerite

粗粒玄武岩

干峡谷之斜坡充满了砂岩、粗粒玄武岩(Dolerite)及偶而可见的火山岩等,被长期风化及蚀刻的特殊岩石外貌,并只有少量且干燥的土壤. 该地区曾被美国的太空总署(NASA),作为登陆火星前,最佳的模拟研究场所.

etch

刻蚀

在刻蚀芯片 (photolithography) 的过程中,极高频的紫外线、X-射线或电子束会被用于刻蚀 (etch) 特徵大小 (feature size) 小於 0.15 微米的电路. 今后二十年,硅片将会被分子计算机 (molecular) 和生物芯片 (bio chips) 取代.

spectral sensitivity

光谱灵敏度

通常使用一较短波长的雷射,因为它对光阻计上的涂膜有较高的光谱灵敏度(spectral sensitivity). 暴光之后,利用蚀刻溶剂加以显影,由於过度暴光的区域被蚀刻掉,只留下轻微暴光的区域. 此外,三维电视的观念已经引起很多人的兴趣,

stirring

搅拌

其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etchingrate)的因素有三:蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无. 定性而言,增加蚀刻温度与加入搅拌,均能有效提高蚀刻速率;但浓度之影响则较不明确. 举例来说,以49%的HF蚀刻SiO2,

striation

条纹

于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.

notching

刻痕

在对硅进行蚀刻时会出现氧化硅等绝缘膜的结构中,沟槽底部的绝缘膜表面发生绝缘物带电,会导致离子偏移,使侧壁的下面部分被蚀刻. 这称为刻痕(Notching). 并且,即使表面为绝缘物,仍可能发生绝缘物带电,从而影响离子的轨迹,使其发生称为侧向偏移(Bowing)的变形.

Tenting

盖孔法

前者当初系以镀金、镀锡铅再经蚀刻方式为主,然因产生总浮空(Overhang)等问题,陆续有使用干膜(Dry Film)的盖孔法(Tenting) 或塞孔法出现. 1980年代后半,利用电着光阻的析出方式(Electro-Deposited Process;ED法)成功被开发,

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul