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蚀的

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Sand blast

喷砂

(1) 遮蔽(Masking)作业(2) 花样(Pattern)形成作业若有需要,把蚀刻面之花样被覆(Pattern)去除,仅留非加工面之遮蔽,再施经轻度蚀刻的酸洗作业,或实施喷砂(Sand blast),把蚀刻面作成均匀有光泽的面.

delay

延迟

"推动"(boost)或"延迟"(delay)参数的工具,也可以在参数渐增过程中逐步采用. 自Bosch交换式工艺商业问市以来,从简单的诱导式电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统开始被应用,到目前最新的深层反应离子刻蚀(DRIE)系统,己经有了相当多的演变发展.

Deneb

天鹅座( 天津四

那是一片被重质量的星所发出的恒星风以及辐射所蚀刻, 近看一些被蚀刻的云气有些藏新星形成的 徵兆. 塘鹅星云被归类为IC 5070,大约距离我们 2,000 光年远,只要在北方的天鹅座天津四 (Deneb)就可以找到它.

excise

切除

另一个研究发现,进行切除(excise)子宫内膜异位损伤的患者,在二年内,有42%因为再度疼痛回来看诊. 而以烧蚀(ablate)治疗的患者,则有77%. 这看起来是切除(excise)比烧蚀(ablate)的效果佳,可以有较长久持续的疼痛缓解. 然而,

masking

遮蔽

(1) 遮蔽(Masking)作业(2) 花样(Pattern)形成作业若有需要,把蚀刻面之花样被覆(Pattern)去除,仅留非加工面之遮蔽,再施经轻度蚀刻的酸洗作业,或实施喷砂(Sand blast),把蚀刻面作成均匀有光泽的面.

PC polycarbonate

聚碳酸酯

本文主要针对波长248nm准分子激光对聚碳酸酯(PC polycarbonate)刻蚀性能的实验研究.着重讨论了准分子激光对于该种聚合物的刻蚀机理,并通过对不同能量密度情况下得到的不同刻蚀深度的实验结果进行分析计算,

Reticle

刻线

此外,不仅设计技术不会直接转移至光罩上,光罩刻线(reticle)的形状与刻印在晶圆上的电路也会有所差异,让光罩检验的工作面临严苛的挑战. Numerical的Virtual Stepper软件可支持仿真式的光罩检验作业,能仿真硅组件在光罩以特定蚀刻条件蚀刻后所产生的结果,

sidewall

侧壁

它可与卤素重新复合(这会降低刻蚀剂卤素的浓度),也可能形成聚合物(Polymers)(聚合物有可能阻止刻蚀进行,但如落到侧壁(Sidewall)上,可以作为掩膜保护图形侧壁,有利于各向异性刻蚀).

spectral sensitivity

光谱灵敏度

通常使用一较短波长的雷射,因为它对光阻计上的涂膜有较高的光谱灵敏度(spectral sensitivity). 暴光之后,利用蚀刻溶剂加以显影,由於过度暴光的区域被蚀刻掉,只留下轻微暴光的区域. 此外,三维电视的观念已经引起很多人的兴趣,

notching

刻痕

在对硅进行蚀刻时会出现氧化硅等绝缘膜的结构中,沟槽底部的绝缘膜表面发生绝缘物带电,会导致离子偏移,使侧壁的下面部分被蚀刻. 这称为刻痕(Notching). 并且,即使表面为绝缘物,仍可能发生绝缘物带电,从而影响离子的轨迹,使其发生称为侧向偏移(Bowing)的变形.

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