蚀的

anime

芳香树脂

提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液,及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法. 该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂. 阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物,由R

cross-talk

干扰

以在蚀刻时有效地延长蚀刻时间,使蚀刻后的间隔部接近特定几何形状,且流体腔达到足够的流体腔长度及深度,同时更可进一步避免蚀刻尖角出现的问题,防止于喷射时相邻该流体腔产生相互干扰(cross talk)的现象,而制造出高精度的流体喷射装置,

Fiducial

基准点

化学蚀刻的模板对于产生半蚀刻(half-etched)基准点(fiducial)和字幕名称也是最好的. 用于印刷机视觉系统对中的基准点可以半蚀刻,然后填充黑色树脂,提供视觉系统容易识什么是防火板别的、与光滑的金属背景的对比度.

modified

修正

当微带天线只有一个靠近靠近辐射边缘的蚀刻槽时, 它的共振模态是受此蚀刻槽微扰(pertubed)的修正(modified) TM10模态. 而当另一对蚀刻槽加到靠近非辐射边缘, 与原蚀刻槽共同形成对称於x轴之π型结构蚀刻槽后,这样的双频带微带天线,

stirring

搅拌

其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etchingrate)的因素有三:蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无. 定性而言,增加蚀刻温度与加入搅拌,均能有效提高蚀刻速率;但浓度之影响则较不明确. 举例来说,以49%的HF蚀刻SiO2,

striation

条纹

于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.

undercut

底切

纯粹的化学刻蚀通常没有方向选择性,刻蚀后将形成圆弧的轮廓,并在屏蔽(Mask)下形成底切(Undercut),此谓之等向性刻蚀. 等向性刻蚀通常对下层物质具有很好的选择比,但线宽定义不易控制. 而非等向性蚀刻则是藉助具有方向性离子撞击,

ichnite

化石足迹

ice-worn冰蚀的 | ichnite化石足迹 | ichnofacies化石相 遗迹化石相 遗迹相

denatured ammonium sulphate

变性硫铵

denapon 维因 | denatured ammonium sulphate 变性硫铵 | dendriform 蚀的

Anticosti

安蒂科斯蒂岛(在加拿大东部)

anticorrosive || 防蚀的 | Anticosti || 安蒂科斯蒂岛(在加拿大东部) | anticracking agent || 防裂剂

Anopheles candidiensis：日月潭疟蚊

\\"疟蚊属\\",\\"Anopheles\\" | \\"日月潭疟蚊\\",\\"Anopheles candidiensis\\" | \\"中华疟蚊\\",\\"Anopheles hyrcanus var. sinensis\\"

Gnome Milnes:GNOME：下的扫雷

2. Games:游戏软件 | 1) Gnome Milnes:GNOME下的扫雷; | 2) Gnibbles:贪吃蛇游戏;