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蚀刻剂

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amorphous carbon

非晶碳

王清帆;郑丰绪;陈振隆 本发明揭示一种低介电常数介电质层的蚀刻方法,包括下列步骤:提供一基板,上述基板具有一低介电常数介电质层;于上述低介电常数介电质层上形成一非晶碳(amorphous carbon)植入层;于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层;

annular ring

孔环

当板面上各圆垫(Pads)经钻孔后,围绕在孔外之"孔环"(Annular Ring),其最窄处的宽度将做为检测的对象,而规范上对该处允收的下限值,谓之"孔环下限". 这是PCB 品质与技术的一种客观标准. 由于圆垫的制作在先(即阻剂与蚀刻),而钻孔加工之呈现孔环在后,

cupric chloride

氯化铜

Peroxide),和氯化铜(Cupric Chloride)等. 蚀刻结束后将剩下的光阻剂去除掉. 这称作脱膜(Stripping)程序. 测试PCB是否有短路或是断路的状况,可以使用光学或电子方式测试. 光学方式采用扫描以找出各层的缺陷,

estuary carrier

海湾区航运船,河口区航运船

515 溃蚀腐蚀,冲蚀 errosion | 516 海湾区航运船,河口区航运船 estuary carrier | 517 蚀刻剂 etching solution

Hull Cell

哈氏槽

用哈氏槽(hull cell)模拟实验 3. CVS分析 9.2.3镀锡铅 9.2.3.1 前言 二次铜后镀锡铅合金的目的有二 a. 蚀刻阻剂, 保护其所覆盖的铜导体不会在碱性蚀铜时受到攻击 b. 装配焊接, 须再经IR重熔,目前多已不使用. 由于铅对人体有颇大的为害,

photoresist lift off

光刻胶剥离

photoresist lacquer 感光尸 | photoresist lift off 光刻胶剥离 | photoresist mask 光致抗蚀剂掩模

photolithography

光刻

在半导体或LCD制造过程中,光刻(photolithography)是最关键也是最困难的步骤. 光阻剂、蚀刻液与显影液需透过旋转喷涂/浸渍喷涂方式,才可以在晶圆与玻璃基板面板上完成制造(fabrication). 面对强酸碱化学物质与高温等极为严苛的制造环境,

storage life

贮存期

i)湿膜属单液油墨容易存贮保管,一般放置温度为20±2℃,相对湿度为55±5%,阴凉处密封保存,贮存期(Storage Life):4~6个月. j)使用范围广,可用作MLB内层线路图形制作及孔化板耐电镀图形制作,也可与堵孔工艺结合作为掩孔蚀刻图形抗蚀剂,

striation

条纹

于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.

etchant gas

腐蚀气体

etchant 蚀刻剂 | etchant gas 腐蚀气体 | etchant regeneration system 腐蚀剂再生装置

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overturned:倒转的

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