蚀刻

engraving machine

刻模机,雕刻机

engraving etching | 蚀刻 | engraving machine | 刻模机,雕刻机 | engraving machines | 雕刻机

etched Vert

直刻

Etched Printed Circuit 蚀刻印刷电路 | etched Vert 直刻 | ETen 倚天

modified

修正

当微带天线只有一个靠近靠近辐射边缘的蚀刻槽时, 它的共振模态是受此蚀刻槽微扰(pertubed)的修正(modified) TM10模态. 而当另一对蚀刻槽加到靠近非辐射边缘, 与原蚀刻槽共同形成对称於x轴之π型结构蚀刻槽后,这样的双频带微带天线,

photoetching

光刻法

photoetching 光刻 | photoetching 光刻法 | photoetching 光蚀刻

photolithography

光刻

在半导体或LCD制造过程中,光刻(photolithography)是最关键也是最困难的步骤. 光阻剂、蚀刻液与显影液需透过旋转喷涂/浸渍喷涂方式,才可以在晶圆与玻璃基板面板上完成制造(fabrication). 面对强酸碱化学物质与高温等极为严苛的制造环境,

resistless etching

无光刻胶腐蚀

resistivity profile 电阻率分布 | resistless etching 无光刻胶腐蚀 | resistless lighography 无光刻胶蚀刻

resistless patterning

无光刻胶图像形成

resistless lighography 无光刻胶蚀刻 | resistless patterning 无光刻胶图像形成 | resistor 电阻器

stirring

搅拌

其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etchingrate)的因素有三:蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring)之有无. 定性而言,增加蚀刻温度与加入搅拌,均能有效提高蚀刻速率;但浓度之影响则较不明确. 举例来说,以49%的HF蚀刻SiO2,

striation

条纹

于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.

xylophagous

蚀木穿孔的

蚀刻术etching | 蚀木穿孔的xylophagous | 蚀木的xylophagous

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul