蚀刻

adherence

粘附性

e,粘附性(Adherence).表征光刻胶粘着于衬底的强度.光刻胶的粘 附性不足会导致硅片表面的图形变形.光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀,离子注入等).

anime

芳香树脂

提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液,及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法. 该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂. 阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物,由R

bagger elevator

(散粒物)装袋升运器

KPR Kodak Photo Resist 柯达光致抗蚀剂(刻蚀电路用) | bagger elevator (散粒物)装袋升运器 | trehalase [生化]海藻糖酶

Celt

abbr. confined etchant layer technique; 约束刻蚀剂层技术

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delay

延迟

"推动"(boost)或"延迟"(delay)参数的工具,也可以在参数渐增过程中逐步采用. 自Bosch交换式工艺商业问市以来,从简单的诱导式电感耦合等离子(ICP)刻蚀系统开始被应用,到目前最新的深层反应离子刻蚀(DRIE)系统,己经有了相当多的演变发展.

PC polycarbonate

聚碳酸酯

本文主要针对波长248nm准分子激光对聚碳酸酯(PC polycarbonate)刻蚀性能的实验研究.着重讨论了准分子激光对于该种聚合物的刻蚀机理,并通过对不同能量密度情况下得到的不同刻蚀深度的实验结果进行分析计算,

selectivity

选择比

反应离子刻蚀技术的原理刻蚀精度主要是用保真度(Profile)、选择比(Selectivity)、均匀性(Uniformity)等参数来衡量. 所谓保真度度,就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上,即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜,而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀.

sidewall

侧壁

它可与卤素重新复合(这会降低刻蚀剂卤素的浓度),也可能形成聚合物(Polymers)(聚合物有可能阻止刻蚀进行,但如落到侧壁(Sidewall)上,可以作为掩膜保护图形侧壁,有利于各向异性刻蚀).

Via Hole

通孔

InP,GaAs系列通孔(Via Hole)刻蚀预真空锁(Load Lock)的配置完全将有毒及危险气体与净化车间隔离开来,最大限度保证了操作人员的安全激光干涉终点控制系统(EPD)可以在实时控制刻蚀的深度

satin white

缎光白

缎光釉 satin glaze | 缎光白 satin white | 佐藤蚀刻 Sato etching

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul