蚀刻

Sand blast

喷砂

(1) 遮蔽(Masking)作业(2) 花样(Pattern)形成作业若有需要,把蚀刻面之花样被覆(Pattern)去除,仅留非加工面之遮蔽,再施经轻度蚀刻的酸洗作业,或实施喷砂(Sand blast),把蚀刻面作成均匀有光泽的面.

cross-talk

干扰

以在蚀刻时有效地延长蚀刻时间,使蚀刻后的间隔部接近特定几何形状,且流体腔达到足够的流体腔长度及深度,同时更可进一步避免蚀刻尖角出现的问题,防止于喷射时相邻该流体腔产生相互干扰(cross talk)的现象,而制造出高精度的流体喷射装置,

etch

刻蚀

在刻蚀芯片 (photolithography) 的过程中,极高频的紫外线、X-射线或电子束会被用于刻蚀 (etch) 特徵大小 (feature size) 小於 0.15 微米的电路. 今后二十年,硅片将会被分子计算机 (molecular) 和生物芯片 (bio chips) 取代.

Fiducial

基准点

化学蚀刻的模板对于产生半蚀刻(half-etched)基准点(fiducial)和字幕名称也是最好的. 用于印刷机视觉系统对中的基准点可以半蚀刻,然后填充黑色树脂,提供视觉系统容易识什么是防火板别的、与光滑的金属背景的对比度.

masking

遮蔽

(1) 遮蔽(Masking)作业(2) 花样(Pattern)形成作业若有需要,把蚀刻面之花样被覆(Pattern)去除,仅留非加工面之遮蔽,再施经轻度蚀刻的酸洗作业,或实施喷砂(Sand blast),把蚀刻面作成均匀有光泽的面.

photoengraving

光刻蚀

photoemulsion 照相乳胶 | photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀

photoetching

光刻蚀

photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀 | photoexcitation 光激励

radical

基

当芯片浸在电浆之中,暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻,此类蚀刻即称之为电浆蚀刻. 所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子及中性基(Radical)等

undercut

底切

纯粹的化学刻蚀通常没有方向选择性,刻蚀后将形成圆弧的轮廓,并在屏蔽(Mask)下形成底切(Undercut),此谓之等向性刻蚀. 等向性刻蚀通常对下层物质具有很好的选择比,但线宽定义不易控制. 而非等向性蚀刻则是藉助具有方向性离子撞击,

photoetch method

光刻蚀法

photoengraving 光刻蚀 | photoetch method 光刻蚀法 | photoetched evaporation mask 光刻蒸发掩膜

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul