空穴载流子
- 与 空穴载流子 相关的网络解释 [注：此内容来源于网络，仅供参考]
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forward bias
正向偏压
当正向偏压(Forward Bias)加在pn结时,多余的载流子(Carrier)会经过耗尽至而渗透至对方. 图6所示的是pn结能带,其中,图6(a)表示在平衡状态,图6(b)表示在正向偏压时,图6(c)表示在注入高密度电流时的电子与空穴复合产生光的情况,
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depletion layer
耗尽层
n型半导体中产生电子,p型半导体中产生空穴,在其中间产生耗尽层(Depletion Layer). 当正向偏压(Forward Bias)加在pn结时,多余的载流子(Carrier)会经过耗尽至而渗透至对方. 图6所示的是pn结能带,其中,图6(a)表示在平衡状态,图6(b)表示在正向偏压时,
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Holes
空穴
和场效应管(field-effect transistor)中只有一种 载流子主导不同,双极型晶体管的工作依赖于电子(electrons)和空穴(holes)两者的迁移. 一种在封装焊盘(package lead)和芯片绑定焊盘(chip/die bonding pad)之间连线的工艺.
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impurity
掺杂
化学元素周期表(periodic table)第III族(column III)的掺杂(impurity)材料,通过在导带中减少电子的数量,在硅上形成产生移动的空穴(Mobile hole),这些"空穴"是正电荷的载流子,因此用于制造可以接收电子的P-型(P-Type)半导体.
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MIS
金属 绝缘体 半导体
6 金属-绝缘体-半导体(MIS)结构基础本书是21世纪大学新型参考教材系列之一,书中主要讲解半导体工程学基础、半导体中的电子和空穴、载流子输送现象、pn结和金属-半导体接触、二极管和双极晶体管、金属-绝缘体-半导体(MIS)结构基础等.
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Carriers
载流子
空穴 hole | 载流子 carriers | PN结 PN junction
- 推荐网络解释
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Burnley：班來
SP Group在瑞德奇、伯明翰和班来(Burnley)拥有4座工厂,有650名员工. 该公司营业额逾6000万英镑,已跻身于英国规模最大同时也最具创新的销售点印刷商行列. 而在中国,有非常多的公司都希望享受包括高速打印,印前服务,
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Iconium：伊康
后迁都科尼亚(Konya),古称伊康(Iconium),故又称伊康素丹国. 1080~1081年,苏莱曼先后攻克舍马哈、尼德微、安塔基亚,其势力伸展至小亚细亚西北部和爱琴海岸. 1086年,苏莱曼逝世后,其继任者实行分封制,国内公国林立,互相混战,
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u Bit Floundering：(钻头泥包)
u Bit Balling,Ball Up (钻头泥包) | u Bit Floundering(钻头泥包) | u Deflecting Tool (造斜工具)