离子的

ion abundance

离子丰度

棒图中,横座标表示质荷比(m/z) ,其数值一般由定标器或内参比物定出来.纵座标 表示离子丰度(ion abundance)即离子数目的多少.表示离子丰度的方法有两种,即相对丰 度和绝对丰度.

ion antagonism

离子对抗作用

在发生单盐毒害的溶液中如加入其它少量金属离子,即可减弱或消除这种单盐毒害,离子之间这种作用称离子对抗作用(ion antagonism)干细胞是一类具有自我更新、高度增殖和多向分化潜能的细胞群体.

ion bombardment

离子轰击

经SEM及AFM观察得知,氩气电浆处理的时间与表面洁净度及表面粗糙度有正相关,此结果显示经电浆解离的氩离子与原子具清洁及离子轰击(ion bombardment)钛金属表面的功能;丙烯胺的聚合厚度随著丙烯胺电浆作用时间的增加而增加,

Chelate

螯合剂

但有些蛋白质含疏基,而这些疏基是活性所必须的,为减少金属离子对活性的影响,可以在缓冲液中加入特异金属离子的螯合剂(Chelate)除去这些金属离子,如Zn2+的螯合剂为邻二氮杂菲;Ca2+的螯合剂为乙二醇双(2-氨基乙醚)四乙酸(EGTA);

daughter

子离子

母离子:paren ion | 子离子:daughter | 含奇数个电子的离子:odd electron

hydrogen ion

氢离子

剂:酸中含有氢离子(hydrogen ion),碱中含有氢氧离子(hydroxide ion)材料安全数据表(MSDS)-美国联邦职业、安全和健康法案(OSHA)的规定1、晶圆制备阶段:矿石到高纯气体(四氯化硅或者三氯硅烷)的转变-气体到多晶的转变-多晶(polysilicon)到单晶、掺杂晶棒的转变-晶棒到晶圆的制备;

ion plating

离子镀

离子镀(Ion Plating)是作为宇宙开发技术,由美国发明的最先进的表面处理技术. 在真空状态下,镀离子化的金属,与传统的镀处理相比,紧密性、安全性取得了飞越性提高. 西铁城从长年积累的手表表面处理技术出发,着手开发应用可以替代传统技术的新技术--"离子镀",开发出在高品质的镀合金

ISP

离子喷雾接口

离子喷雾接口(ISP)这一缺点已被1987年研制出来的离子喷雾接口(ISP)所克服在加热雾化器或常压化学离子化(APCI)接口中,离子化机理与中压化学离子化的机理相同,试剂气离子通常利用电晕放电形成

isohydric principle

等氢离子原理[如特指血浆中的氢离子不论来自何种酸,均可被任一对缓

isohormone 同工激素 | isohydric principle 等氢离子原理[如特指血浆中的氢离子不论来自何种酸,均可被任一对缓 | isoimmunization 同种免疫接种

isohydric principle

等氢离子原理[如特指血浆中的氢离子不论来自何种酸

isohormone同工激素 | isohydric principle等氢离子原理[如特指血浆中的氢离子不论来自何种酸 | isoimmunization同种免疫接种

overturned：倒转的

倒转的 inverted | 倒转的 overturned | 倒转点 inversion point

remind sb of/about sth：使某人想起

9. on the go 忙碌, (整天)奔忙 | remind sb. of / about sth. 使某人想起... | have fun 取乐