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离子的

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hydroxyl radical

氢氧根离子

在活性氧中,氢氧根离子(Hydroxyl Radical)比超级双氧水(Super Oxydol)的氧化性强100倍,它会损害人的遗传基因,过氧化氮(Peroxy Nitride)则是导致神经细胞死亡的原因.

ion implantation

离子注入

发现於原始陨石中的钻石颗粒,很可能是形成於太阳系形成之前,因此隐藏於钻石颗粒之中的稀有气体,便成为探索太阳系形成早期的重要线索之一,而这些稀有气体之所以能够进入钻石颗粒之中,则可能和离子注入(ion implantation)有所关连.

ion implantation

离子植入

"这种新的元件,不仅批量生产容易,而且由山景市(Mountain View)的生产及行销部门.两地相距虽只有十英里远,但和"离子植入"(ion implantation)等新的研究领域.

ion

离子

同意休厄尔(W.Whewell)的建议,采用"阳极"(anode)、"阴极"(Catnode)、"离子"(ion)的术语. 5月,法拉第又采纳休厄尔的建议,定名"正离子"(anion)和"负离子"(Canon). 1835年皮尔(Robert Peer)爵士决定赠给法拉第15万英镑,

ion mobility

离子淌度

1.山地亚国家实验室正研究化学探测法,利用离子淌度 (ion mobility) 光谱测定法 (spectrometry) 的技术,找寻从地雷放射出来的爆炸性分子 (explosive molecules) ,并透过研究不同温度和冷凝物 (precipitation) 对爆炸性分子的影响,

oppositely charged ion

电性相反的离子

oppositely charged electron 电性相反的电极 | oppositely charged ion 电性相反的离子 | outer-shell electron 外层电子

RIE

反应离子腐蚀

.3 反应离子腐蚀(RIE) 23 3.1.1.4 制作减反射膜层 24 3.1.2金属化技术 24 3.1.3 PN结的形成技术 24 3.1.3.1 发射区形成和磷吸杂 24 3.1.3.2 背表面场的形成及铝吸杂技术 24 3.1.3.3 双面Mc-Si电池 25 3.2.4 表面和体钝化技术 25 3.2 工业化电池工艺概述 25 3.2.1工业化生产的特征 25 3.2.2丝网印刷及其相关技术 25 3.2.2.1

notching

刻痕

在对硅进行蚀刻时会出现氧化硅等绝缘膜的结构中,沟槽底部的绝缘膜表面发生绝缘物带电,会导致离子偏移,使侧壁的下面部分被蚀刻. 这称为刻痕(Notching). 并且,即使表面为绝缘物,仍可能发生绝缘物带电,从而影响离子的轨迹,使其发生称为侧向偏移(Bowing)的变形.

Cloud point extraction

浊点萃取

浊点萃取(cloud point extraction)是一门新兴的分离富集技术. 它利用非离子表面活性剂在特定温度下可形成浊点这一特性对水相中的一些组分进行分离富集,它以环境友好、操作简便和富集倍率高等特点倍受人们关注. 浊点萃取技术目前应用最多的是水中金属离子的分离富集.

ionomer

离子聚合物

接着是离子聚合物(Ionomer)所打造的第三层,主要用意是强化中、短铁杆的后旋能力,创造出更多的得分机会. 最外层则是聚氨甲酸酯树脂(urethane)外壳,Nike表示这是市面上最柔软,而且最能改善耐用性的材料,能够提供最佳的触感和回馈.

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