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离子注入机

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病态矩阵

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implanter

离子注入机

implanted oxide 离子注入氧化物 | implanter 离子注入机 | implosion 聚爆

ion implanter

离子注入机

ion implantation 离子值入,离子移植 | ion implanter 离子注入机 | analysis method 离子微探针质谱仪分析法

implanted oxide

离子注入氧化物

implanted impurity 注入杂质 | implanted oxide 离子注入氧化物 | implanter 离子注入机

LG

长度

锥形角阴影效应会形成非对称性晶体管,从而限制栅极长度(Lg)的微缩,高转速转盘的转动则会导致粒子(particle)引起的多晶硅结构失效. 但是通过扫描式单晶片离子注入机1-D离子束机械扫描和较高分子量掺杂材料(B10H14或B18H22)的使用,

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