离子

well implant

阱区离子注入

一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分?②后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation)14. 前段(frontend)的工艺大致可区分为那些部份?②阱区离子注入(well implant)用以调整电性③栅极(poly gate)的形成

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离子注入

掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程(图4.8). 它有两种工艺方法:热扩散(thermal diffusion)和离子注入(implantation),都在第十一章有详细阐述. 热扩散是在1000摄氏度...

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离子注入

发现於原始陨石中的钻石颗粒,很可能是形成於太阳系形成之前,因此隐藏於钻石颗粒之中的稀有气体,便成为探索太阳系形成早期的重要线索之一,而这些稀有气体之所以能够进入钻石颗粒之中,则可能和离子注入(ion implantation)有所关连.

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离子植入(法)

包含扩散法(Diffusion)和离子植入法(Ion implantation). 微影 微影是指将经过设计之积体电路几何图案制作於光罩(Mask)上,再利用类似摄影原理的步骤转移到已经过处理之晶圆表面上的制程. 经过拣选后的晶圆往往被送到其它工厂进行包括封装(Packaging)和测试(Testing)的后段制程.

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离子植入

"这种新的元件,不仅批量生产容易,而且由山景市(Mountain View)的生产及行销部门.两地相距虽只有十英里远,但和"离子植入"(ion implantation)等新的研究领域.

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对非晶半导体离子注入

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耗尽区离子注入

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耗尽区离子

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antiquated law：兩- 過時的法例

anti-fraud 兩- 打擊欺詐 港- 打擊詐騙 台- 制止背信 | antiquated law 兩- 過時的法例 | anti-trust 兩- 反托拉斯;反壟斷 台- 反托拉斯;反獨佔;反壟斷

permutable：可排列

permutability 转置性 可置换性 换排性 | permutable 可排列 | permutate 重排列