硅

degenerate

退化

需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体"退化"(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大. 以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间.

denial plan

否定方案

dendrolith 硅化树干 | denial plan 否定方案 | denial 否认

dentine adhesive

牙本质黏结剂

粘接剂残留指数:adhesive remnant index | 牙本质黏结剂:dentine adhesive | 有机硅压敏胶:Silicone Pressure-Sensitive Adhesive

aluminium deoxidation

铝脱氧

铝热熔接 thermit welding | 铝脱氧 aluminium deoxidation | 铝硅合金 Alpax

Dermal

表层的

并联电阻 derived resistance | 表层的 dermal | 上硅铝壳形变 dermal deformation

desilverization

去银

去硅 desiliconizing | 去银 desilverization | 企望值 desired value

desirable action

适宜的行动

desilication;脱硅作用;; | desirable action;适宜的行动;; | desirable annual level of funding;年度理想筹款额;;

interfere destructively

相消干涉

太阳光子可以径直通过每个飞盘上的氮化硅,也可以从飞盘的小孔中穿过,后一种光子的相位要比前一种光子稍稍提前一些. 因此这两种光子会发生相消干涉(interfere destructively),进而阻挡一部分本应到达地球的光线,并将其中大约2%的光线散射到地球两侧.

didymium nitrate

硝酸镨铵;硝酸铅

二环已基亚硝酸胺 dicyclohexylammonium nitrite | 硝酸镨铵;硝酸铅 didymium nitrate | 二乙基二氯甲硅烷 diethyl dichlorosilane

dielectric

介电质

该公司并将于该会议上提出七份简报,分别摘要如下:这些晶体管采用9A EOT high-k闸极介电质(dielectric),双频金属闸极(dual band-edge workfunction metal gates)、以及第四代应变硅晶(silicon),使其NMOS和PMOS驱动电流(drive currents)在至今公开的技术中首屈一指.

Apportioned Effort：分摊努力

Applied Direct Costs 实际直接成本 | Apportioned Effort 分摊努力 | Apportioned Task 分摊任务

tussah silk fabric：柞丝绸

tussah silk carpet 柞丝毯 | tussah silk fabric 柞丝绸 | tussah silk fancy yarn 柞粗纺丝