硅
- 与 硅 相关的网络解释 [注:此内容来源于网络,仅供参考]
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carbon steel
碳素钢
这...碳素钢(carbon steel) 碳含量为002%~135%,并有硅、锰、硫、磷及其他残余元素的铁碳合金,简称碳钢. 碳钢中硅和锰是在炼钢时作为脱氧剂而加入的,硫和磷是由炉料带入并在炼钢时未能除尽而成为有害杂质.
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tetrachloroquinone; chloranil
四氯醌;氯醌
四氯酞酸 tetrachlorophthalic acid | 四氯醌;氯醌 tetrachloroquinone; chloranil | 四氯化硅;四氯硅烷 tetrachlorosilane
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clad
覆盖
且上述芯材(2)优选为由铜层(4)、(4)层积形成于低膨胀系数Fe合金形成的中间层(3)的两面的覆盖(clad)材料制成. 本发明公开了太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法,涉及能源新材料领域中太阳能电池纳米晶硅薄膜的制作方法;
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Commonly Used Size
常用尺寸
表面处理 Surface Finish | 常用尺寸 Commonly Used Size | 电器用硅 [硅] 钢片 Electrical Steel Sheet
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configuration
线路布局
这种FPGA采用非晶硅TFT技术,在9层铜布线上混装了线路布局(Configuration)用SRAM电路. 第二篇是意法半导体发表的有关具备超薄体的完全空乏型SOI技术的论文(论文序号6.2). 该技术的特点是,可在同一个块硅底板上集成块状CMOS和 SOI元件.
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DSTI DayStar Technologies,CIS
电池,玻璃基
CSUN China Sunergy Company,南京中电,晶硅电池 30 9 | DSTI DayStar Technologies,CIS电池,玻璃基 -4 -3 | ENER Energy Conversion Devices,旗下united solar,非晶硅薄膜 38 20
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doping
掺杂
离子注入是制程工艺"掺杂"(Doping)的一种形式. 这是通过各种化学杂质(即离子)轰击硅晶圆表面的曝光区来改变此区内的硅导电方式. 经过电场加速的离子束,射到晶圆表面的时速可高达30公里. 纳米科技涵盖的领域甚广,从基础科学横跨至应用科学,
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eddy current loss
涡流损失
常用的铁心材料有纯铁,硅钢,铁镍合金,铁钴合金,铁氧磁体等,其中以纯铁及硅钢较为常用.纯铁的导磁性好,但是因为比电阻小,涡流损失(eddy current loss)大,因此添加硅,唯硅含量过高时材 质便脆化,因此一般在 5.5%以下,
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Eilat stone
埃拉特石
Egyptian turquoise 埃及绿松石 | Eilat stone 埃拉特石 | ekanite 埃卡石,硅钙铁铀钍矿,硅钙铀钍矿
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gamma iron
加马铁
加马射线图 gamma-graph | 加马铁 gamma iron | 加马硅铝明(铝硅合金) gamma silumin
- 推荐网络解释
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Apportioned Effort:分摊努力
Applied Direct Costs 实际直接成本 | Apportioned Effort 分摊努力 | Apportioned Task 分摊任务
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tussah silk fabric:柞丝绸
tussah silk carpet 柞丝毯 | tussah silk fabric 柞丝绸 | tussah silk fancy yarn 柞粗纺丝
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make sb. do sth.(be made sb.to do sth:使某人做某事
be made for each other 有利于,倾向于 | make sb. do sth.(be made sb.to do sth.)使某人做某事 | to make a speech 做报告.