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网络解释

砷化镓

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GASP

abbr. gallium arsenide phosphide; 磷砷化镓

-1

Ge

自然界中属于半导体的物质有很多种,用来制造半导体器件的材料主要有硅(Si), 锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等. 半导体不仅是电导率与导体有所不同,而且具备其它特有的性能,正是利用这些特性,使半导体器件(二极管、晶体管和光电器件等)取得了举世瞩目的发展.

GPA

通用放大器

飞思卡尔半导体公司日前推出11种新型设备,从而扩展了其砷化镓(GaAs)通用放大器(GPA)系列设备. 这些功率放大器直接使用5V直流电源|稳压器运行,提供了从DC到6GHz的多种电源选择和频率范围,而且包括了常见应用的直接替代品.

Gunn effect

耿[氏]效应

概念 耿氏效应(Gunn effect)是 1963年,由耿氏(J.B.Gunn) 发现的一种效应. 当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时,便产生微......

internet protocol address

互联网协议地址

互联网协议地址 (Internet Protocol Address) 请参阅 IP. 基片 (Substrate) 在上面放置物质或图像的基础材料. 激光 (LASER) 受激辐射光放大所产生的光. 激光是一种强度很高的量密度. 激光二极管 (Laser Diode) 使用砷化镓半导体制成的激光器,

nonconductor

绝缘体

物质按照导电能力的不同可分为导体(conductor)、绝缘体(nonconductor)和半导体(semiconductor). 其中,半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间. 常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等. 半导体具有掺杂特性、热敏特性、光敏特性等,

semiconductor

半导体

3 半导体(semiconductor):导电能力随外界条件发生显著变化的材羚羝为半导体,如硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等. E103

gasless abdominal distention

无气性腹胀

1.gallium arsenide diode 砷化镓二极管 | 2.gasless abdominal distention 无气性腹胀 | 3.gastric alcohol dehydrogenase 胃酒精脱氢酶

paassive resonant cavity

无源共振腔

p-type gallium arensidep 型砷化镓 | paassive resonant cavity 无源共振腔 | pabry-perot mirror 法布立,拍若面镜

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