砷化镓
- 与 砷化镓 相关的网络解释 [注:此内容来源于网络,仅供参考]
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GASP
abbr. gallium arsenide phosphide; 磷砷化镓
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Ge
锗
自然界中属于半导体的物质有很多种,用来制造半导体器件的材料主要有硅(Si), 锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等. 半导体不仅是电导率与导体有所不同,而且具备其它特有的性能,正是利用这些特性,使半导体器件(二极管、晶体管和光电器件等)取得了举世瞩目的发展.
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GPA
通用放大器
飞思卡尔半导体公司日前推出11种新型设备,从而扩展了其砷化镓(GaAs)通用放大器(GPA)系列设备. 这些功率放大器直接使用5V直流电源|稳压器运行,提供了从DC到6GHz的多种电源选择和频率范围,而且包括了常见应用的直接替代品.
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Gunn effect
耿[氏]效应
概念 耿氏效应(Gunn effect)是 1963年,由耿氏(J.B.Gunn) 发现的一种效应. 当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时,便产生微......
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internet protocol address
互联网协议地址
互联网协议地址 (Internet Protocol Address) 请参阅 IP. 基片 (Substrate) 在上面放置物质或图像的基础材料. 激光 (LASER) 受激辐射光放大所产生的光. 激光是一种强度很高的量密度. 激光二极管 (Laser Diode) 使用砷化镓半导体制成的激光器,
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nonconductor
绝缘体
物质按照导电能力的不同可分为导体(conductor)、绝缘体(nonconductor)和半导体(semiconductor). 其中,半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间. 常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等. 半导体具有掺杂特性、热敏特性、光敏特性等,
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semiconductor
半导体
3 半导体(semiconductor):导电能力随外界条件发生显著变化的材羚羝为半导体,如硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等. E103
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gasless abdominal distention
无气性腹胀
1.gallium arsenide diode 砷化镓二极管 | 2.gasless abdominal distention 无气性腹胀 | 3.gastric alcohol dehydrogenase 胃酒精脱氢酶
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paassive resonant cavity
无源共振腔
p-type gallium arensidep 型砷化镓 | paassive resonant cavity 无源共振腔 | pabry-perot mirror 法布立,拍若面镜
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tram stop:(有轨)电车车站
post 邮局 | tram-stop(有轨)电车车站 | zebra-crossing 斑马线
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Jaish-e-Mohammad,JEM:穆罕默德军
16. 乌兹别克斯坦伊斯兰运动Islamic Movement of Uzbekistan,IMU | 17. 穆罕默德军Jaish-e-Mohammad,JEM | 18. 伊斯兰祈祷团Jemaah Islamiya Organization,JI
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TINTING:糊版 底污;上色 著淡色;染色
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