砷化镓

galvanometer, ballistic

冲击电流计

gallium arsenide metal semiconductor field effect 砷化镓金属化半导体场效应晶体管 | galvanometer, ballistic 冲击电流计 | gamma correction 伽玛校正

breakdown voltage

击穿电压

随着近来IDM大厂的投入,SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用. 除了上述的制程外,其它逐步应用在无线通信高频组件的基材还有磷化铟(InP)或GaAs on Si等制程. 前者较砷化镓更适于高频应用,

compressive strain

压缩应力

此压缩应力(compressive strain). 的砷化镓铟(InGaAs)晶格匹配於舒 ...... 的研究与实务应用,以治本的方法. 达到这样的目的才是最好的选择. 参考文献 ..... 中度通风(MV):可控制气体的集中. 使边界区域形成浓度低於LEL,并且泄漏停止后,.

fuzziness

不清晰

fusion temperature 聚变温度 | fuzziness 不清晰 | gaas 砷化镓

G-string

线;导波线

G线;导波线 G string | 砷化镓雷射 GaAs laser | 毫线规 gage, millimeter wire

Gaboon

加蓬红木

GaAsvaractordiode 砷化镓变容二极管 | Gaboon 加蓬红木 | Gaboonmahogany 加蓬红木

gm : Gambia

冈比亚(域名)

GAC GalliumArsenideFieldEffectTransistors 砷化镓场效应晶体管 | GM Gambia 冈比亚(域名) | GCSS GateControlledSwitch 栅控开关

Kyoto

日本,京都

为了配合通讯上的应用,日本京都(Kyoto)大学的科学家制造出操作波长为1.55微米的三维光子晶体. 该人造晶体主要是以砷化镓(gallium arsenide)为材料,中央为一层磷砷化铟镓发光层. 这项成果时整合半导体光电特性上的一项突破,

lec

液封直拉法

自上世纪50年代年开始,先后开发出水平布里支曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、蒸汽压控制直拉法(VCZ)和垂直梯度凝固法(VGF)等多项砷化镓单晶生产工艺技术,成功生长出1~4英寸砷化镓单晶,推动了国内砷化镓及其相关产业的快速发展.

RF Switch

射频开关

受3G和智能手机需求增长,砷化镓用量大增砷化镓主要应用于射频通讯元件,主要产品包括功率放大器(PA)、射频开关(RF Switch)等. 3G与智能手机的区别,稳懋微波事业群总经理王郁琦指出,在2G手机上,仅使用1~2颗功率放大器与射频开关器,

tram stop：(有轨)电车车站

post 邮局 | tram-stop(有轨)电车车站 | zebra-crossing 斑马线

Jaish-e-Mohammad,JEM：穆罕默德军

16. 乌兹别克斯坦伊斯兰运动Islamic Movement of Uzbekistan,IMU | 17. 穆罕默德军Jaish-e-Mohammad,JEM | 18. 伊斯兰祈祷团Jemaah Islamiya Organization,JI