砷化镓

gallium antimonide

锑化镓

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gallium antimonide

锑化镓(Ga Sb)(一种半导体)

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arsine

(三)氢化砷)

而所需的Ⅲ-Ⅳ族化合物则在低温区段沈积出.在金属有机制程中,若要产生砷化镓,则反应腔室内会被计量注入三甲基镓 (trimethylgallium) 及三氢化砷 (arsine),进行如下的化学反应产生出砷化镓.分子束磊晶法虽可用於相同的目的,

gaas fet

砷化镓结型N沟道场效应晶体管

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gaas fet

砷化镓结型N沟道场效应电晶体

GE-P-FET 锗P沟道场效应电晶体 | GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应电晶体 | SB肖特基势垒栅场效应电晶体

gallium phosphide

磷化镓

美国哈佛大学的Charles Lieber研究群制造了20奈米直径的奈米线含有交替的砷化镓(gallium arsenide)与磷化镓(gallium phosphide)组成,同时也使用了n 型、p型矽以及磷化铟(indium phosphide).

gallium phosphide

磷化镓arX中国学习动力网

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gallium ion

镓离子

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GaN

氮化镓

LED芯片又称LED芯片,英文叫做CHIP,它是制作LED灯具(LED LAMP)、LED屏幕(LED DISPLAY)、LED背光(LED BACKLIGHT)的主要材料,由磷化鎵(GaP),鎵铝砷(GaAlAs),或砷化鎵(GaAs),氮化鎵(GaN)等材质组成,其内部结构为一个PN结,

gallium porphyrin

镓卟啉

砷化镓 gallium arsenide | 镓卟啉 gallium porphyrin | 加仑 gallon

tram stop：(有轨)电车车站

post 邮局 | tram-stop(有轨)电车车站 | zebra-crossing 斑马线

Jaish-e-Mohammad,JEM：穆罕默德军

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