砷化的

gallium arsenide

砷化镓

这四种物质分别为: 二叔丁基过氧化物(Di-tert-butyl-peroxide):作为聚合反应的引发剂等,建议归于类别3(致突变); 砷化镓(Gallium arsenide):作为微电子中的集成电路,...2009年4月29日,美国消费品安全委员会(CPSC)发布铅涂料新指导方针.

indium arsenide

砷化铟

研究人员使用砷化铟(indium arsenide)制成的奈米线,因为它与金属之间不会形成萧特基障壁(Schottky barrier),电子可以很容易穿透奈米线与超导电极间的介面,而这也是产生邻近效应的必要条件.

arsine

(三)氢化砷)

而所需的Ⅲ-Ⅳ族化合物则在低温区段沈积出.在金属有机制程中,若要产生砷化镓,则反应腔室内会被计量注入三甲基镓 (trimethylgallium) 及三氢化砷 (arsine),进行如下的化学反应产生出砷化镓.分子束磊晶法虽可用於相同的目的,

arsine

三氢砷化

arsenous 砷的 | arsine 三氢砷化 | arsis 强音部

gaas fet

砷化镓场效应晶体管

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究. 人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的.

GaN

氮化镓

LED芯片又称LED芯片,英文叫做CHIP,它是制作LED灯具(LED LAMP)、LED屏幕(LED DISPLAY)、LED背光(LED BACKLIGHT)的主要材料,由磷化鎵(GaP),鎵铝砷(GaAlAs),或砷化鎵(GaAs),氮化鎵(GaN)等材质组成,其内部结构为一个PN结,

metalloid AN-FO explosive

用铝粉敏化的铵油炸药

metallized slurry explosive 用铝粉敏化的浆状炸药 | metalloid AN-FO explosive 用铝粉敏化的铵油炸药 | metalloid 准金属<如砷

arsenium

砷

arsenite | 亚砷酸盐 | arsenium | 砷 | arseniureted | 砷化的

arseniureted

砷化的

arsenite 亚砷酸盐 | arseniureted 砷化的 | arsenopyrite 毒砂

arsenization

砷疗法

arseniureted | 砷化的 | arsenization | 砷疗法 | arseno | 砷

tram stop：(有轨)电车车站

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Jaish-e-Mohammad,JEM：穆罕默德军

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