研磨

adsorb

吸附

此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching) 去除部份切削痕迹 再经去离子纯水贴在研磨垫(Polishing Pad)磨擦 并同时滴入具腐蚀性的化学溶剂当研磨液让面 这些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb) 通常芯片会以热的

bending

弯曲力

粉碎过程常用的外加力有:冲击力(impact)、压缩力(compression)、剪切力(cutting)、弯曲力(bending)、研磨力(rubbing)等,参见图4-6. 被处理物料的性质、粉碎程度不同,所需施加的外力也有所不同. 冲击、压碎和研磨作用对脆性物质有效,

buffing

抛光

3.14.4 抛光(buffing)的形式现代自动化可自动送料,下料,换位置,移位等利用程序化控制(program-mable controller)或机器人(robots)操作. 滚桶研磨性质(media)与工作的比率决定因素有:它是将研磨粒子以干式或液体方式喷射在工件表面上去除污物,

buffing

光

F=K*D3.14.4 抛光(buffing)的形式mable controller)或机器人(robots)操作.滚桶研磨性质(media)与工作的比率决定因素有:它是将研磨粒子以干式或液体方式喷射在工件表面上去除污物,

Chip

切屑

通常磨轮之磨粒越细,则研制工件之表面粗度越好,然而磨轮表面越容易被切屑(Chip)堵塞而变成不锐利,因此必需定时停机清理削锐,如此一来就造成加工不方便及损失,因此Ohmori提供ELID研磨法,使得在研磨过程中,经常保持磨轮在锐利状态,

flatness

平坦度

利用ELID钻石磨轮研磨直径300-400mm之矽晶圆,可获得所期望的表面粗度与平坦度(flatness)其研磨结果则视电流、电压、磨轮转速、材质、磨粒粗细、进给率及工作台转速而决定.

hone

磨石

将磨石(Hone)或者砂纸安装在工具(Honing Tool)上,用于研磨孔的内表面的工具. 将磨石(Hone)或者砂纸安装在工具(Honing Tool)上,用于研磨孔的内表面的工具.

liter

公升

湾大学 半导体厂化学机械研磨(CMP)废水回收再 用可 性评估/成功大学 半导体化学机械研磨(CMP)废液之资源化处 研究/半导体晶片是由结晶的矽晶圆 (Ingot) 割成细片(晶圆 wafer) ,以浓缩液 1 公升(liter) 的矽含 做比较的话 ,

mating

配对

这种PCF耦合器通过将两根边研磨过的PCF配对(mating)植入石英块的内部形成.当这两根PCF的纤芯靠的很近的时候,在这些PCF导模之间就会发生渐消场耦合. 这种边研磨技术制成的光纤耦合器的最主要特征就是其耦合率具有可调性.

sharpened

尖锐的

sharp-witted /机敏的/ | sharpened /尖锐的/ | sharpener /研磨者/削的人/研磨工具/

uniovular twin：真孪生

uncompetitative inhibition 非竞争性抑制 | uniovular twin 真孪生 | unit membrane 单位膜

play off one against the other：挑拨离间, 从中得利

play off (难分胜负的)延长赛 使出丑 嘲弄 以...冒充 假装有病 | play off one against the other 挑拨离间, 从中得利 | play off one against another 挑拨离间, 从中得利