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电路的

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input bias current

输入偏压电流

如图所示电路,若要消除运算放大器输入偏压电流(input bias current)的效应,则R3之电阻值应为( 4 )206. 如图,已知运算放大器的输入抵补电压(input offset voltage)为5mV,假设运算放大器的其余特性均为理想,则此电路之输出电压最接近( 2 )207.

layout

配置

此外电子组件芯片化之后若单靠是集中定数设计电路,势必会遭遇到设计上的极限,因此必需借助计算机仿真技术,针对pattern与组件的形状、配置(layout)等物理性尺寸进行精密的分析、设计,有鉴于此本文将探讨有关高频电路设计.

logic level

逻辑电平

此外,它还可以将电路中的逻辑电平(logic level)恢复到理想的电压值,这使得设计师可以将许多简单的门(gates)连在一起来执行计算. 标准半导体电路需要用三极晶体管来执行"非(NOT)"操作和信号恢复. 然而,人们普遍认为晶体管无法被缩小至几毫微米大小,

OR gate

或门

CPU最底层是晶体管(Transistor),由晶体管再组成最基本的逻辑电路--与门(AND Gate),或门(OR Gate),非门NOT Gate)等等由这些基本的逻辑电路再进一步组成基本的功能体,如寄存器(Register),正反触发器(Flip-Flop)解码器Decoder)等等.

oxidation

氧化

★氧化(Oxidation)氧化(Oxidation)是半导体电路制作上的基本热制程. 氧化制程的目的是在芯片表面形成一层氧化层,以保护芯片免于受到化学作用和做为介电层(绝缘材料). ★扩散(Diffusion)扩散(Diffusion)是半导体电路制作上的基本热制程.

resistance

电阻

R: 电阻(Resistance)C: 电容(Capacitance)前几篇曾经详细介绍电阻与电容的特性,因此接着要探讨有关coil与transformer元件的特性. 最近几年电子电路快速IC化,所以利用coil、transformer与IC匹配(match)的情况相对减少,即使如此依旧有许多电路,

scaling

定标

TLC548和 TLC549的其他特点包括通用控制逻辑,可自动工作或在微处理器控制下工作的片内采样保持电路, 具有差分高阻抗基准电压输入端, 易于实现比率转换 (ratiometricconversion) 定标 , (scaling) 以及与逻辑和电源噪声隔离的电路.

hot spot

过热点

微电子和光电积体电路(ICs)若在接近最大输出功率下运转时, 经常会有过热点(hot spot)产生, 此可能会对电路装置本身造成不良的影响. 由美国加州大学John Bowers和Ali Shakouri所领导的研究团体指出, 将微小的热电(thermoelectric)冷却装置嵌在晶片上方,

Inverting

反相

将运算放大器的反向输入端与输出端连接起来,放大器电路就处在负反馈组态的状况,此时通常可以将电路简单地称为闭环放大器. 闭环放大器依据输入讯号进入放大器的端点,又可分为反相(inverting)放大器与非反相(non-inverting)放大器两种.

varistor

可变电阻

雷电surge无法使用一般的filter电路去除,必需使用可变电阻(Varistor)、Arrester、Silicon Surge 、Absorber等雷电surge对策组件. 常用的filter电路其电容器的容量,往往高达数十V至数百V不等,由此可见数千V的高电压、高能量雷电surge如果流入通信导线或是电力线的话,

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