电蚀刻

amorphous carbon

非晶碳

王清帆;郑丰绪;陈振隆 本发明揭示一种低介电常数介电质层的蚀刻方法,包括下列步骤:提供一基板,上述基板具有一低介电常数介电质层;于上述低介电常数介电质层上形成一非晶碳(amorphous carbon)植入层;于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层;

backstop tongs

从挡钳

"back spattering","反电泼(离子蚀刻)" | "backstop tongs","从挡钳" | "backstreaming","回流"

bombardment

轰击

较低能量的轰击(bombardment)对晶圆与腔体较为有利,能减低损伤(例如刻面faceting)以及在腔体表面堆积喷溅的可能. 由於超低介电常数材料较二氧化矽多孔与疏松,所以软式蚀刻更能保存其物理整体性. 此理亦适用於下一世代的光阻,

CMP

(化学机械研磨)制程

其中关键性制程包括有:低介电常数介电膜之乾式蚀刻及清洗制程、溅镀填充铜扩散阻障层及电镀铜晶种层、铜电镀制程以及铜化学机械研磨制程(CMP). #F#图二:以0.18微米元件线幅之五层铜/低介电常数介电膜导线结构之示意图.

electroencephalograph

电脑波测量图

electroencephalogram 脑电图 | electroencephalograph 电脑波测量图 | electroetching 电蚀刻

mounting

鑲埋

第二阶段是将实体电路转移到晶圆上,其中包括膜沉积(金属膜,介电质膜..),氧化,扩散,离子布植,微影与光蚀刻技术,等制程方式,重复数十或数百次;第三阶段是积体电路元件的组装(Package),包括切割,镶埋(Mounting),接线,封装,测试

Pipette

(玻璃)吸管

膜片箝制(Patch Clamp)技术,是电生学中研究子通道机制最成熟完备的一项工具,传统膜片箝制方式是使用玻璃吸管(pipette)移动到本文提出以软微影(Soft lithography)与蚀刻技术,在矽晶片上制作

radical

基

当芯片浸在电浆之中,暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻,此类蚀刻即称之为电浆蚀刻. 所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子及中性基(Radical)等

impregnating method

浸入探伤法

浸渗透式暖电偶高温计 immersion pyrometer | 浸入探伤法 impregnating method | 浸蚀,蚀刻 etching

releasing

释放

在微机电制程中,制作悬浮可动的微结构,是利用元件结构层与牺牲层材料之间的选择性蚀刻(selective etching),将牺牲层去除而留下结构层,此过程则称之为结构释放(releasing).

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul