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电介体

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bombardment

轰击

较低能量的轰击(bombardment)对晶圆与腔体较为有利,能减低损伤(例如刻面faceting)以及在腔体表面堆积喷溅的可能. 由於超低介电常数材料较二氧化矽多孔与疏松,所以软式蚀刻更能保存其物理整体性. 此理亦适用於下一世代的光阻,

Differentialquotient differential quotient

微分系数,微商

Dielektrizitaetskonstant edielectric constant 介电常数 | Differentialquotient differential quotient 微分系数,微商 | Dimeres dimer 二聚体

monopole electret

单极驻极体

monopole electret 单极驻极体 | photoelectret 光驻极体 | photoelectric eletret 光致介电驻极体

mounting

鑲埋

第二阶段是将实体电路转移到晶圆上,其中包括膜沉积(金属膜,介电质膜..),氧化,扩散,离子布植,微影与光蚀刻技术,等制程方式,重复数十或数百次;第三阶段是积体电路元件的组装(Package),包括切割,镶埋(Mounting),接线,封装,测试

polar diagram

极图

"配极曲线","polar curve" | "极图","polar diagram" | "极性介电体","polar dielectrics"

wiring

接线

而矽氧化物正好是一介电体(DUELECTRIC:电的绝缘体). HORNI的电晶体用到一层蒸镀(EVAPORATED)铝,将之形成适当的形状,作为电晶体的接线(WIRING)目的. 此种技术即称为平面技术(PLANAR TECHNOLOGY).

polar dielectrics

極性介電體

"极图","polar diagram" | "极性介电体","polar dielectrics" | "极距","polar distance"

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