氮化

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cooling

冷却

8.冷却(COOLING) 加入或混合气(5%max.) 处理压力850mbar 冷却至室温(60℃以下)制气体氮化简单易做可整体处理(混载)氮化层选择不易白层有微细孔洞,不致密有排放气体消耗大局部氮化困难不能氮化不锈钢及钛合金盐浴氮化氮化速度快处理均匀氮化层选择不易白层疏松、不致密局部氮化不易工作须缚紧,

silicon carbide brick

碳化硅砖

silicon 硅 | silicon-carbide brick 碳化硅砖 | silicon-nitride-bonded silicon carbide refractory 氮化硅粘合碳化硅耐火材料

boron trifluoride diethyl etherate

三氟化硼乙醚

硼系延期药:Boron based delay compositions | 三氟化硼乙醚:boron trifluoride diethyl etherate | 立方氮化硼:cubic boron nitride

plutonium monocarbide

一碳化钚

plutonium metallurgy 钚冶金学 | plutonium monocarbide 一碳化钚 | plutonium mononitride 一氮化钚

uranium monocarbide

一碳化铀

uranium mining industry 铀矿开采工业 | uranium monocarbide 一碳化铀 | uranium mononitride 一氮化铀

Phenylamine and diazotization

(苯胺和重氮化作用)

28.3 Aromatic amines(芳族胺) | 28.4 Phenylamine and diazotization(苯胺和重氮化作用) | 28.5 Amino acids(氨基酸)

cyaniding

氰化法

液体渗碳是以氰化钠(NaCN)为主成分,所以同时能渗碳亦能氰化,所以亦称为渗碳氮化(Carbonitriding),有时亦称为氰化法(Cyaniding). 处理温度约以700℃界,此温度以下以氮化为主,渗碳为辅,700℃以上则渗碳为主,氮化为辅,氮化之影响极低.

short period

短周期

其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是,利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(Short Period)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种,

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abstractive：有抽象能力的

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