气源的

amorphous

非晶质

通常,反应腔之阴极石墨棒上所沉积的奈米碳管,可观察到非晶质(amorphous) 碳、石墨微粒及煤灰等杂质,因而常需后续的纯化处理. 图8微波电浆触媒辅助电子回旋共振化学气相沉积法(ECR-CVD) 利用CH4及H2 为反应气源,

depth gauge

深度计

和调节器相连的一般还有压力表(Submersible Pressure Gauge)--让潜水员随时随地知道气瓶内的空气量,通常还会有深度计(Depth Gauge),一个额外的二级头--称为备用气源(Alternate Air Source),和一条低压充气管--此管可接合在浮力调整装置的抵押充气阀上.

diffusion pump

扩散帮浦

+ 束源气室是产生分子束的所在,其内装产生分子束的脉冲阀(pulsed valve),圆锥状撇取器(skimmer)及气体导管,此气室的体积约为20 L(气室外壳及所有元件的材质均为不锈钢)气室底部依序连接电动式阀门(electropneumatic gate valve),扩散帮浦(diffusion pump)及其前段的机械帮浦

Equalize

均衡

把抽真空(Vacuum)开关、氮气(Nitrogen)开关和均衡(Equalize)开关打到自动(Auto)位置,再打开气体总开关到On的位置. 关闭氮气气源,把氮气供应管换到氮气口(N2)上,把厌氧气供应管连接到厌氧气接口(anaerobic gas)上,并调节好压力(同步骤2).

heptane

庚烷

以廉价的水玻璃为硅源,用乙醇(EtOH)/三甲基氯硅烷(TMCS)/庚烷(Heptane)溶液对湿凝胶进行改性,采用一种新的常压干燥工艺合成了SiO2气凝胶.

soak

浸泡

WCVD工艺一般由四个步骤组成:加热并用SiH4浸泡(Soak),成核(Nucleation),大批淀积(Bulk Deposition)和残余气清洗(Purge). (图2)在成核这一步中,SiH4和氢气的混合气体与WF6源气体反应形成了一薄层钨,这一薄层钨作为后续钨层的生长点.

tet

四氯化硅

北京元泰大友投资管理有限公司控股的沁阳国顺硅源公司是我国微电子化学品业唯一生产电子高级二氯二氢硅等特种气体生产企业,并通过国家发改委的立项审批和国防技术工业委员会军需项目的审批. 主要产品:高纯二氯二氢硅烷(DCS)、高纯三氯硅烷(TCS)、高纯四氯化硅(TET). 产品主要用于外延硅晶体的化学气相沉积(CVD)和高性能太阳

atmogenic

气源的

气涌作用 gas streaming | 气源的 atmogenic | 气钻 air drill

atmogenic

气成的, 风积的, 气源的

atmoclast | 大气碎屑岩 | atmogenic | 气成的, 风积的, 气源的 | atmograph | 呼吸描记器

air drill

气钻

气源的 atmogenic | 气钻 air drill | 器官 organ

functional catches：活动把手生耳

回零针 fly-back hand | 混合表 combo watch | 活动把手生耳 functional catches

parametric linear programming：参数线性规划

参数模型|parameter model | 参数线性规划|parametric linear programming | 参数最优化|parameter optimization