本质半导体

combinational circuit

组合电路

全球半导体产业的制程技术依照Moore's Law推估的速度持续成长,然而IC设计技术却远落於后,所以灵活应用公司内部的设计重复使用(Design Reuse)或大量引用外背景介绍 Combinational ATPG是一个Branch and Bound的演算法,它的本质是在组合电路(Combinational Circuit)内找到适合的输入向

degenerate

退化

需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体"退化"(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大. 以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间.

Extrinsic semiconductor

外质半导体

而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响. 硅有四个价电子,常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素. 当只有三个价电子的三价元素如硼(boron)掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受体的角色,

fermi level

费米能阶

[9]VFB = 平能带(flatband)电压φF = 费米能阶(Fermi level)到本质费米能阶φms = 闸极与半导体提取位能(extraction potentials)的差距透过一些技巧可达到低临界电压值,例如修正闸极绝缘层的厚度(我们将在稍后说明).

intrinsic semiconductor

本质半导体

掺杂进入本质半导体(intrinsic semiconductor)的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响. 而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带(band)宽度不同

semiconductor; intrinsic

本质半导体

杂质半导体 semiconductor, impurity | 本质半导体 semiconductor, intrinsic | n 型半导体 semiconductor, n type

photodiode

感光二极管

CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称为金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别,都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,这种转换的原理与太阳能电子计算机的太阳能电池效应相近,

intrinsic resistivity

内在电阻率

内在斥力场 intrinsic repulsive field | 内在电阻率 intrinsic resistivity? | 本质半导体 intrinsic semiconductor

NHL：abbr. non-hodgkin lymphoma; 淋巴瘤

complete ordered field：完备有序体

完全的空间n点形 complete n-point in space | 完备有序体 complete ordered field | 完全正(直)交系 complete orthogonal system