晶体管

enhancement

增强型

按照电学特性,MOSFET又可以分为耗尽型(deletion)与增强型(enhancement)两类. 它们又可以进一步分为N沟型(与双极晶体管的NPN型相当)和P沟型(与双极晶体管的PNP型相当).

SENSE FET

电流敏感动率MOS场效应管

HEMT 高电子迁移率晶体管 | SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管 | SIT 静电感应晶体管

SENSE FET

电流敏感功率MOS场效应管

HEMT:高电子迁移率晶体管 | SENSE FET:电流敏感功率MOS场效应管 | FRED FET:场效应晶体管半导体

logic level

逻辑电平

此外,它还可以将电路中的逻辑电平(logic level)恢复到理想的电压值,这使得设计师可以将许多简单的门(gates)连在一起来执行计算. 标准半导体电路需要用三极晶体管来执行"非(NOT)"操作和信号恢复. 然而,人们普遍认为晶体管无法被缩小至几毫微米大小,

NOR gate

或非门

如果H L比L H更关键, 也首选或非门(NOR gate)°如果NMOS晶体管较快、 那么就选用NMOS 晶体管系列首选与非门(NAND gate)°同样...反或闸(NOR Gate)是专门负责反或运算的逻辑闸,

NOR gate

反或闸

如果H L比L H更关键, 也首选或非门(NOR gate)°如果NMOS晶体管较快、 那么就选用NMOS 晶体管系列首选与非门(NAND gate)°同样...反或闸(NOR Gate)是专门负责反或运算的逻辑闸,

Normally on

常导通状态

normally off fet 增强型场效应晶体管 | normally on 常导通状态 | normally on fet 耗尽型场效应晶体管

OR gate

或门

CPU最底层是晶体管(Transistor),由晶体管再组成最基本的逻辑电路--与门(AND Gate),或门(OR Gate),非门NOT Gate)等等由这些基本的逻辑电路再进一步组成基本的功能体,如寄存器(Register),正反触发器(Flip-Flop)解码器Decoder)等等.

recess

凹槽

除了控制临界尺寸外,减少"闸氧化凹槽(Recess)"也是一个关键要求,闸氧化凹槽在3nm以下被认为是可接受的. 晶体管结的调整是一个非常复杂的课题,要求对结深度、面电阻和侧壁断裂等参数同时进行最佳化,而每个参数在决定晶体管短信道性能方面都扮演着关键角色.

point-contact semiconductor diode

点接触型半导体二极管

point-contact phototransistor 点接触式光电晶体管 | point-contact semiconductor diode 点接触型半导体二极管 | point-contact transistor 点接触晶体管

Proxy Proxy：代理

Protocol: Protocol: 通訊協定: | Proxy Proxy 代理 | Re-request Authorization Re-request Authorization 重新請求批准

insurmountable odds：这里指不可战胜的神话

go before the cameras:开拍 | insurmountable odds:这里指不可战胜的神话 | flick:[俚]电影