晶体管

asdic

超声波水下探测器

as ttl 改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路 | asdic 超声波水下探测器 | aspect ratio 长宽比

bipolar

双极型

在20世纪70年代末期,双极型(bipolar)晶体管技术已经成为领导潮流的数字电子技术. 在1980年前后,通过多年的奋起直追,MOS技术才终于扭转了这一局势,并且当时在双极型晶体管技术和MOS共用技术之间存在着交叉的现象. 随后科学家们发现,

tight close-up

近特写镜头

Transistor-Coupled Transistor Logic 晶体管耦合晶体管逻辑电器 | Tight Close-Up 近特写镜头 | Transmission Control Unit 传输控制单元

common emitter circuit

共射极电路

当三极管之基极不加偏压或饱合状态 饱合(saturation)状态:如图6所示,当三极管之基极加入驶按晶体管公共电极的不同选择,晶体管放大电路有三种:共基极电路 ( Common base circuit)、共射极电路(Common emitter circuit) 和 共集极电路(Common collector circuit),

Darlington

达灵顿

每一个驱动组件包括一晶体管或至少一对晶体管,形成一达灵顿(Darlington)电路,并具有一基极结点,连接至对应接收结点,用以接收对应地址讯号. 每一个电阻加热器的一端连接至每一个驱动组件的集极结点,另一端则连接至一共同电源端.

Defective

次品

[摘要] 一种集成电路(integrated circuits;IC)的次品(defective)的检测方法,该集成电路由晶圆上多个晶体管(transistor)并联组成,该方法包含下列步骤:施加偏压(bias)到这些晶体管;及撷取这些晶体管的红外光影像(infrared imagery).

dispense

分配

由于能够在200℃以下的处理温度状态形成CNT晶体管,因此可将PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜等用于底板. 此次的CNT晶体管形成工艺采用分配(Dispense)技术涂布和干燥包含有Ag、绝缘材料和CNT在内的油墨,分别形成Ag栅极、源极和漏极、栅极绝缘膜以及CNT通道.

frequency doubler

倍频器

7.6 晶体管倍频器 倍频器(Frequency Doubler)是一种输出信号频率等于输入信号频率整数倍的变换电路.晶体管倍频器有两种主要形式: 7.6 另一种是利晶体管倍频器(倍频器动画) 需要说明的是,用丙类谐振功率放大器实现倍频,在采用最佳通角值的情况下,

drain

漏极

+ [[晶体管]]有三个[[极]];[[双极性晶体管]]的三个极,分别由N型跟P型组成[[射极|发射极]](Emitter)、[[基极]] (Base)和[[集极|集电极]](Collector); [[场效应晶体管]]的三个极,分别是[[源极]] (Source)、[[闸极|栅极]](Gate)和[[泄极|漏极]](Drain).

solar battery

太阳能电池

晶体管的电极与符号/使晶体管工作的条件/半导体产品型号的命名法/场效应晶体管(FET)/太阳能电池(Solar Battery)/激光二极管(Laser Diode)

Proxy Proxy：代理

Protocol: Protocol: 通訊協定: | Proxy Proxy 代理 | Re-request Authorization Re-request Authorization 重新請求批准

insurmountable odds：这里指不可战胜的神话

go before the cameras:开拍 | insurmountable odds:这里指不可战胜的神话 | flick:[俚]电影