掺杂的

degenerate

退化

需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体"退化"(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大. 以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间.

donor

施主

3.4.1 施主(donor)掺杂材料3.4.2 受主(acceptor)掺杂材料既然我们还是生活在数字处理越来越普及的现实世界,那么模拟设计者也必须熟悉数字处理的概念,使得我们可以在模拟处理与数字处理之间相互协作.

FOM

品质因子

并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺

gauss distribution

高斯分布

且该第二预定深度大于该第一预定深度;一金氧半导体晶体管(MOS transistor)制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区;以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中,且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布(Gauss distribution).

intrinsic semiconductor

本质半导体

掺杂进入本质半导体(intrinsic semiconductor)的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响. 而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带(band)宽度不同

paramagnetic substance

顺磁材料

paramagnetic Faraday effect 顺磁法拉第效应 | paramagnetic substance 顺磁材料 | paramagnetically-doped 顺磁法掺杂的

pore

气孔

"我们目前采用碳掺杂氧化硅的方式来加大晶格,这相当于插入了大小为2纳米的气隙,我们称之为气孔(pore). 这种碳掺杂技术可使我们现有的低k介电常数降至3以下. 我们现正评估几种提高气孔尺寸的方案,比如把气孔建构在电介质分子中,

.pr

镨

掺稀土光纤是在光纤的纤芯中,掺杂铒(Er)、钕(Nd)、镨(Pr)等稀土族元素的光纤. 1985年英国的索斯安普顿(Sourthampton)大学的佩思(Payne)等首先发现掺杂稀土元素的光纤(Rare Earth Doped Fiber)有激光振荡和光放大的现象.

undosed

未经照射的

undoped single crystal 非掺杂单晶体 | undosed 未经照射的 | undulating light 脉动光

dopant

杂物

而在阳极的选择上,则必需是一个高功函数又可透光的材质,这样的选择并不多,所以ITO(indium在后续的研究当中发现,OLED可藉由在发光层中掺杂一不等浓度的掺杂物(dopant),使得主发光体(host)的能量得以转移至掺杂物上而改变原本主发光体的光色以及发光的效率,

Supposed to Be：应该吧

我想我该睡了 i think i should slp | 应该吧 supposed to be | 希望 hope so

Plain Weave：平布

509 hopsack 方平织物 | 510 plain weave 平布 | 511 panama 巴拿马薄呢