掺杂的

acceptor

受体

一般而言,掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施体(donor)与受体(acceptor). 施体原子带来的价电子(valence electrons)大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚. 而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施体原子微弱地束缚住,

adulterate

掺假的掺杂

adulterate a. 掺假的掺杂 | adulterate 掺假的掺杂 | adulterated oil 污油

backward diode

反向二极管

反向二极管(Backward diode)又称为反向隧道二极管. 它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管. 反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n 结,但结的一边是简并的,另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并 (即Fermi能级不进入能带)的半导体.

DOPE

掺杂

Shirakawa(1-3)共同发现用碘掺杂(Dope)的聚乙炔(Polyacetylene),在室温下之导电率提高了12个数量级,即掺杂后,由绝缘体( σ~10-9 s/cm) 变成导体 ( σ~103 s/cm).

doping

掺杂

离子注入是制程工艺"掺杂"(Doping)的一种形式. 这是通过各种化学杂质(即离子)轰击硅晶圆表面的曝光区来改变此区内的硅导电方式. 经过电场加速的离子束,射到晶圆表面的时速可高达30公里. 纳米科技涵盖的领域甚广,从基础科学横跨至应用科学,

impurity

掺杂

化学元素周期表(periodic table)第III族(column III)的掺杂(impurity)材料,通过在导带中减少电子的数量,在硅上形成产生移动的空穴(Mobile hole),这些"空穴"是正电荷的载流子,因此用于制造可以接收电子的P-型(P-Type)半导体.

undoped single crystal

非掺杂单晶体

undoped diode 非掺杂二极管 | undoped single crystal 非掺杂单晶体 | undosed 未经照射的

dopant

掺杂

其中拥有磷光发光材料的基本专利,成为磷光材料开发的领导企业,而红光材料已投入市场,其发光效率为现在主流"荧光"型发光材料的4倍,UDC拥有以磷光掺杂(Dopant)方式的多种结构专利,因此,在下一波主流发展中UDC的技术不可或缺.

epitaxial layer

外延层

批量晶圆的使用还存在着一些不足,晶圆的质量、掺杂范围和掺杂的控制等因素限制了批量晶圆的使用,同时也限制了高性能双极型晶体管的制造,解决的方法是硅淀积,称为外延层(epitaxial layer),其中包括同外延(hemoepitaxial)和异外延(heteroepitaxial);

short period

短周期

其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是,利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(Short Period)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种,

Jaycee：房祖名

房祖名(Jaycee)投资六位数字代理薄荷糖,前晚於中环某酒吧举行庆祝派对,成龙大哥现身撑爱子场,引起一阵混乱,可惜成龙大哥一到场即急步进场,之后又走后门离去,整晚显得十分低调.

basement complex：基盘岩群;基盘杂岩

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