掺杂半导体

backward diode

反向二极管

反向二极管(Backward diode)又称为反向隧道二极管. 它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管. 反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n 结,但结的一边是简并的,另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并 (即Fermi能级不进入能带)的半导体.

degenerate

退化

需要特别说明的是即使掺杂浓度已经高到让半导体"退化"(degenerate)为导体,掺杂物的浓度和原本的半导体原子浓度比起来还是差距非常大. 以一个有晶格结构的硅本质半导体而言,原子浓度大约是5×10 cm,而一般集成电路制程里的掺杂浓度约在10 cm至10 cm之间.

divalent

二价

Beale[54]延伸此理论并认为半导体材料中之空乏 (depletion) 区在近於能带间隙中间处,而在近表面处出现萧基位障(Schottky potential barrier)并形在高掺杂浓度之矽中,空乏区之位障变窄,电流主要靠穿隧(tunneling)效应穿越此二价(divalent)反应:1.

doorknob transformer

门钮形转换器WcF中国学习动力网

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Exotic

奇异

"奇异"(exotic)半导体类包含一些特种产品,它们要用非Si材料,其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中. 掩埋层半导体利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离,这也是在外延加工中沉积的.

gauss distribution

高斯分布

且该第二预定深度大于该第一预定深度;一金氧半导体晶体管(MOS transistor)制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区;以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中,且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布(Gauss distribution).

ion implanter

离子掺杂器

ion implantation semiconductor detector 离子注入型半导体探测器 | ion implanter 离子掺杂器 | ion pairs 对

impurity

掺杂

化学元素周期表(periodic table)第III族(column III)的掺杂(impurity)材料,通过在导带中减少电子的数量,在硅上形成产生移动的空穴(Mobile hole),这些"空穴"是正电荷的载流子,因此用于制造可以接收电子的P-型(P-Type)半导体.

nonconductor

绝缘体

物质按照导电能力的不同可分为导体(conductor)、绝缘体(nonconductor)和半导体(semiconductor). 其中,半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间. 常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等. 半导体具有掺杂特性、热敏特性、光敏特性等,

semiconductors

半导体掺杂物第

semiconductors 半导体掺杂物第 | doppler averaged cross section 多普勒平均截面 | doppler broadening 多普勒展宽

uniovular twin：真孪生

uncompetitative inhibition 非竞争性抑制 | uniovular twin 真孪生 | unit membrane 单位膜

play off one against the other：挑拨离间, 从中得利

play off (难分胜负的)延长赛 使出丑 嘲弄 以...冒充 假装有病 | play off one against the other 挑拨离间, 从中得利 | play off one against another 挑拨离间, 从中得利