掺杂半导体

semiconductor display device

半导体显示掐

semiconductor diode 半导体二极管 | semiconductor display device 半导体显示掐 | semiconductor doping 半导体掺杂

semiconductor display device

半导体显示装置

semiconductor diode 半导体二极管 | semiconductor display device 半导体显示装置 | semiconductor doping 半导体掺杂

doped semiconductor

掺杂半导体

Dopant 掺杂剂 | Doped semiconductor 掺杂半导体 | oping concentration 掺杂浓度

p doped semiconductor p

型半导体

p doped drain p型掺杂漏极 | p doped semiconductor p型半导体 | p doped source p型掺杂源极

doped

掺杂的

前者改变经掺杂的(doped)金属氧化物半导体的电阻特性,它与温度有密切关系,多用於电子鼻仪器,且已商业化;后者则改变导电型聚合物分子链上的离子或σ键的结合方式,因而改变了聚合物的性质,其中需用毫微科技来处理两电极片间的间隙(10~20μm).

Extrinsic semiconductor

杂质半导体

杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大,本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为n型半导体和p型半导体. 半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级.

Extrinsic semiconductor

外质半导体

而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响. 硅有四个价电子,常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素. 当只有三个价电子的三价元素如硼(boron)掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受体的角色,

intrinsic semiconductor

本征半导体

顾名思义:导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor).本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),

intrinsic semiconductor

本质半导体

掺杂进入本质半导体(intrinsic semiconductor)的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响. 而掺杂过的半导体则称为外质半导体(extrinsic semiconductor). 半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带(band)宽度不同

oping concentration

掺杂浓度

Doped semiconductor 掺杂半导体 | oping concentration 掺杂浓度 | Electrode 电极

uniovular twin：真孪生

uncompetitative inhibition 非竞争性抑制 | uniovular twin 真孪生 | unit membrane 单位膜

play off one against the other：挑拨离间, 从中得利

play off (难分胜负的)延长赛 使出丑 嘲弄 以...冒充 假装有病 | play off one against the other 挑拨离间, 从中得利 | play off one against another 挑拨离间, 从中得利