网络解释
拉单晶的
- 与 拉单晶的 相关的网络解释 [注：此内容来源于网络，仅供参考]
-
tensile stress
拉伸应力
4.应变硅(strain silicon)外延:在松弛(relaxed)的SiGe层上面外延Si,由于Si跟SiGe晶格常数失配而导致Si单晶层受到下面SiGe层的拉伸应力(tensile stress)而使得电子的迁移率(mobility)得到增大,而Idsat得增大意味着器件响应速度的提高,
-
pulled junction
生长结
pulled crystal 拉制的晶体 | pulled junction 生长结 | puller 拉单晶机
-
epitaxy
外延
许多发光器件使用单晶.根据不同的器件要求,单晶的种类,大小以及生长方法是各种 0 各样的.有的晶体,要在 2000 C高温下用提拉法生长;有的在室温下在溶液中生长;有的在 同类晶片上在气相或液相中外延(epitaxy)生长:有的则因得不到所需尺寸的同类晶片作 衬底,
- 推荐网络解释
-
Fix, Unfix,Group,Ungroup：(固定, 不固定,成组, 不成组)
Align Components(元件对准) 79 | Fix, Unfix,Group,Ungroup(固定, 不固定,成组, 不成组) 80 | Select Net(选择线网) 80
-
glycol monoacetate：乙二醇一乙酸酯
glycol lubricant 乙二醇润滑剂 | glycol monoacetate 乙二醇一乙酸酯 | glycol monobenzyl ether 乙二醇一苄醚
-
parry arc：彩晕生物弧
pan 摇镜生物头 | parry arc 彩晕生物弧 | partial-eclipse solution 偏食生物解