外延

epitaxial

外延

Epi = 外延(epitaxial)硅本新闻稿中除历史事实以外的声明,例如关于向3Xnm 与2Xnm 临界线宽的预期技术转移,解决有关此预期转移挑战的2830 系列、Puma 9500 系列或eDR-5210 晶片检测系统的能力,这些工具的性能标准,

epitaxial

取向附生的,外延的

episcotister 频闪观测盘 | epitaxial 取向附生的,外延的 | epitaxial film 取向附生膜

epitaxial growth

外延生长

它在SiC底板上使GaN发生外延生长(Epitaxial Growth). 芯片结构为,不采用下部电极而从表面实现正负极连接的2线焊(Wire Bonding)连接倒装芯片(Flip Chip)结构. 由于没有下部电极,所以发光层发出的光在GaN层内不再发生反复反射,与此前的芯片结构相比,

epitaxial film

外延薄膜

epilog code 终解程序代码 | Epitaxial Film 外延薄膜 | Epitaxial Growth 晶膜生长

epitaxy

外延

许多发光器件使用单晶.根据不同的器件要求,单晶的种类,大小以及生长方法是各种 0 各样的.有的晶体,要在 2000 C高温下用提拉法生长;有的在室温下在溶液中生长;有的在 同类晶片上在气相或液相中外延(epitaxy)生长:有的则因得不到所需尺寸的同类晶片作 衬底,

epitaxy

外延生长

据,并对运算误差 进行分析. ......... 数字电子钟设计 共射极基本放大电路分析 外延生长(Epitaxy) 电视监控系

silicon epitaxy

硅外延

silicon disk 硅磁盘 | silicon epitaxy 硅外延 | silicon gate 硅栅极

graphio epitaxy

制图 外延法

graphics 图形 | graphio epitaxy 制图 外延法 | graphite carrier 石墨载体

graphio epitaxy

制图 外延法arX中国学习动力网

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hydrothermal epitaxy

水热外延

hydrophobic silica 疏水性二氧化硅 | hydrothermal epitaxy 水热外延 | hygrometer 湿度计

antiquated law：兩- 過時的法例

anti-fraud 兩- 打擊欺詐 港- 打擊詐騙 台- 制止背信 | antiquated law 兩- 過時的法例 | anti-trust 兩- 反托拉斯;反壟斷 台- 反托拉斯;反獨佔;反壟斷

permutable：可排列

permutability 转置性 可置换性 换排性 | permutable 可排列 | permutate 重排列