场效应晶体管
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原子核反应
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Damascene
镶嵌
本发明公开了通过形成外延生长沟道而制造一种双栅极硅绝缘体(SOI)MOSFET,该沟道伴随有镶嵌(damascene)栅极. 该双栅极MOSFET以窄沟道为特征,该沟道增加了每布图宽度的电流驱动,并提供了低的外部电导率. 权利要求书 1.一种形成场效应晶体管(FET)的方法,
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落砂工
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fielded panel
鼓面镶板,装配镶板,突面镶板
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