场效应晶体管

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场效应晶体管

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砷化镓场效应晶体管

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究. 人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的.

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肖特基势垒栅场效应晶体管

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耗尽型肖特基场效应晶体管

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场效应晶体管

※ 场效应晶体管 场效应晶体管(field effect transistor)利用场效应原理工作的晶体管. 英文简称FET. 场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型. 它是由电压调制沟道中的电流,

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场效应晶体管

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结面型场效应晶体管

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光控场效应晶体管

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