场
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field emission
场致发射
场致发射(field emission) 在电极表面处的外加强电场的作用下,电子从电极表面逸出的现象叫场致发射或冷发射. 发射的电子流密度与电极材料的性质、电场强度和电极表面的光滑度相关. 场致发射论对真空间隙所以能发生击穿的解释间隙电场能量集中,
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TOP EW
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8 PARA 东西校正 26 | 9 TRAP 梯形校正 28 | 10 TOP EW 顶部角校正 调场幅行幅数据场幅行幅没有变化请高手指点
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field effect transistor
场效应管
另一个方案是把原本晶体管放大的前级改为场效应管(Field Effect Transistor)放大. 原因很简单, 场效应管在最简单的电路设计下,能达到比三极管较阔的音域,更高输入阻抗,高速度,低噪音的指标. 以场效应管为放大的前级,无论在中音和高音都比较接近高保真的范畴,
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FET Field Effect Transistor
场效应管
FET Field Effect Transistor 场效应管 | MOSFET Metal Oxide Semiconductor 金属氧化场效应管 | MESFET Metal semiconductor 肖特基(金属半导体)场效应管
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