可擦可编程只读存储器

EPROM

可擦可编程只读存储器

这包括所有形式的只读存储器(ROM),像是可编程只读存储器(PROM),可擦可编程只读存储器(EPROM),电可擦除只读存储器(EEPROM)和闪存. 它也包括电池供电的随机存取储存器 (RAM).

EPROM

可擦可编程序只读存储器

因而常用于存储各种固定程序和数据. 除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同. 为便于使 用和大批量生产 ,进一步 发展可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只

EPROM

abbr. erasable programmable read – only memory; 可擦涂可编程只读存储器

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flash EPROM

快[可]擦编程只读存储器

可擦[可]编程只读存储器 erasable PROM, EPROM | 快[可]擦编程只读存储器 flash EPROM | 电擦除可编程只读存储器 electrically-erasable programmable ROM, EPROM

ultraviolet EPROM eraser

紫外线电可编程只读存储器擦除器

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EROS ErasableROM

可擦涂只读存储器

EPROM 可擦涂可编程只读存储器 | EROS ErasableROM 可擦涂只读存储器 | EBC EraseBinaryCommand 删除二进制数据的命令

Flash memory

闪速存储器

随机访问存取,断电消失 只读存储器(ROM):只能读出原有的内容,不能写入新内容 可编程 ROM(PROM) 可擦除 PROM(EPROM) 2 电可擦除 PROM(E PROM) 闪速存储器(flash memory) 实际的存储器总是由一片或多片存储芯片配以控制电路组成的,

FRAM

铁电随机存取存储器

电子标签芯片要存储数据,采用的办法有:电可擦可编程只读存储器(E2PROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)以及静态随机存取存储器(SRAM). E2PROM的写入电压高,高电压产生难以控制,操作速度慢,读写次数少等缺点在相当程度上制约了RFID芯片的发展.

FUSE

熔丝

按照编程工艺可以分为4类:(1)熔丝(Fuse)和反熔丝(Antifuse)编程器件,(2)可擦除的可编程只读存储器(UEPROM)编程器件,(3)电信号可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)编程器件(如:CPLD),(4)SRAM编程器件(如:FPGA).

prom

可编程只读存储器

为便于使 用和大批量 生产 ,进一步发 展了可编 程只读存储 器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM). EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便. 20世纪 80 年代制出的 EEPROM ,

Fix, Unfix,Group,Ungroup：(固定, 不固定,成组, 不成组)

Align Components(元件对准) 79 | Fix, Unfix,Group,Ungroup(固定, 不固定,成组, 不成组) 80 | Select Net(选择线网) 80

glycol monoacetate：乙二醇一乙酸酯

glycol lubricant 乙二醇润滑剂 | glycol monoacetate 乙二醇一乙酸酯 | glycol monobenzyl ether 乙二醇一苄醚