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去离子

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adsorb

吸附

此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching) 去除部份切削痕迹 再经去离子纯水贴在研磨垫(Polishing Pad)磨擦 并同时滴入具腐蚀性的化学溶剂当研磨液让面 这些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb) 通常芯片会以热的

alundum

氧化铝

将此晶片以48%之氢氟酸浸泡3分钟,用去离子水洗净并以丙酮洗去油污后,再於其光亮面上涂一层由1份硼酸3份氧化铝(alundum)所配成之混合液,放入约1050℃之高温炉中15分钟加以扩散.

Cheesecloth

纱布

接种用的孢子悬浮液要先用纱布(cheesecloth)滤掉大的菌丝片段,然后以血球计数器(hemacytometer)计算孢子浓度,在去离子无菌水添加0.05%Tween20,调成所需的孢子浓度之悬浮液,大型孢子的孢子浓度为2×104孢子/ml ,小型孢子为5×105孢子/ml .

dehydrogenate

脱氢;脱氢剂

168 脱氢 dehydrogenase | 169 脱氢;脱氢剂 dehydrogenate | 170 去离子作用 deionization

deionize

除去离子

deionization 去离子化 | deionize 除去离子 | deipnosophist 餐桌上的健谈者

dejection cone

射出角锥

去离子作用 deionization | 射出角锥 dejection cone | 德拉伯恩透镜 Delaborne prism

formamide

甲酰胺

冰醋酸,无水酒精,甲醇,盐酸,柠檬酸钠,氢氧化钡,氯化钠,磷酸二氢钠,磷酸二氢钾,磷酸氢二钠,甘油,果胶酶,纤维素酶,甲酰胺 (formamide)用于配制杂交混合液,使用前用混合型离子交换树脂去离子,储存于-20oC.

lapping

研磨

(4)研磨(LAPPING)与蚀刻(ETCHING):由于受过机械的切削,晶圚表面粗糙,凹凸不平,及沾附切屑或污渍,因此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching),去除部份切削痕迹,再经去离子纯水冲洗吹干后,进行表面研磨拋光,使晶圆像镜面样平滑,

move about

动来动去

如果它真的(actually)是干的话,电解液中的离子(ion)就不能动来动去(move about),电流就产生不了了. 在电池工作(operation)时,锌原子通过失去电子而变成了锌离子. 物质(substance)的密度(density)为其质量(mass)与其体积之比(ratio).

Homonuclear decoupling

同核去偶

同芳香性|homoaromaticity | 同核去偶|homonuclear decoupling | 同离子效应|common ion effect

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