光蚀刻

adherence

粘附性

e,粘附性(Adherence).表征光刻胶粘着于衬底的强度.光刻胶的粘 附性不足会导致硅片表面的图形变形.光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀,离子注入等).

bagger elevator

(散粒物)装袋升运器

KPR Kodak Photo Resist 柯达光致抗蚀剂(刻蚀电路用) | bagger elevator (散粒物)装袋升运器 | trehalase [生化]海藻糖酶

batch

批次

借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧,可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件. 1960年,磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了. 至此,半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力,终于站稳脚步,开始快速成长.

cupric chloride

氯化铜

Peroxide),和氯化铜(Cupric Chloride)等. 蚀刻结束后将剩下的光阻剂去除掉. 这称作脱膜(Stripping)程序. 测试PCB是否有短路或是断路的状况,可以使用光学或电子方式测试. 光学方式采用扫描以找出各层的缺陷,

selectivity

选择比

反应离子刻蚀技术的原理刻蚀精度主要是用保真度(Profile)、选择比(Selectivity)、均匀性(Uniformity)等参数来衡量. 所谓保真度度,就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上,即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜,而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀.

submicron

次微米

若要提升每一晶片中所含的电路密度,将更多的运算功能或记忆空间挤在同一块晶片上(大约人的指甲大小),势必要提升鉴别率到次微米(submicron)的层次. 若用软X光来作曝光刻蚀(etching)矽晶片的工具,可以将鉴别率提升到约0.35微米,

TEST PATTERN

测试图案

我们还特别设计了一个专门的测试图案(test pattern),它小到足以放进切割道(scribe line);经过微影和蚀刻步骤后,我们藉著量测此测试图案曝在晶圆上的结果,然后根据量测所得到的数据来调整可变临界值光阻模型.

Tenting

盖孔法

前者当初系以镀金、镀锡铅再经蚀刻方式为主,然因产生总浮空(Overhang)等问题,陆续有使用干膜(Dry Film)的盖孔法(Tenting) 或塞孔法出现. 1980年代后半,利用电着光阻的析出方式(Electro-Deposited Process;ED法)成功被开发,

Ceramics, Tile, Glass, Bone & Wood

陶瓷,瓷砖,玻璃,木骨

Works great on all natural materials伟大的工程,对所有天... | Ceramics, Tile, Glass, Bone & Wood陶瓷,瓷砖,玻璃,木骨& | Great for Carving, Grinding, Sanding, Etching and more...为伟大的雕刻,研磨,砂光,刻蚀...

elevator car

电梯罐笼

Mirror Etching镜面蚀刻, | Elevator Car 电梯罐笼 | Light curtain光幕保护

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul