光蚀刻

self alignment

自对准

记忆元件的形成采用了基于自对准(Self Alignment)技术的"Wall"架构. 在钨触头(W Contact)上设置薄膜纵向加热器元件,然后在其上面直接形成GST,最后自对准地进行蚀刻并制出位线(Bit Line). 通过采用Wall架构,可加大光刻的定位边缘(Positioning Margin).

Asher

一种干法刻蚀方式

8. ARC: anti-reflect coating 防反射层 | 9. ASHER: 一种干法刻蚀方式 | 10. ASI 光阻去除后检查

bombardment

轰击

较低能量的轰击(bombardment)对晶圆与腔体较为有利,能减低损伤(例如刻面faceting)以及在腔体表面堆积喷溅的可能. 由於超低介电常数材料较二氧化矽多孔与疏松,所以软式蚀刻更能保存其物理整体性. 此理亦适用於下一世代的光阻,

byproduct

副产物

B.激发光终点侦测器(Optical Emission End Point Detector)用一光谱接受器,接受蚀刻反应中某一反应副产物(Byproduct)所激发之光谱,当蚀刻反应逐渐完成,此副产物减少,光谱也渐渐变弱,即可侦测得其终点.

diameter

孔径

均需要透过黄光显影与蚀刻步骤形成Via,目前则以深反应离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching;DRIE)技术为主,Via孔径(Diameter)多在20μm以下,受限目前技术孔径 ...3-3 后制程步骤与结果 依据MEMS元件在CMOS标准制程中制作的先后顺 序分类,

lapping

研磨

(4)研磨(LAPPING)与蚀刻(ETCHING):由于受过机械的切削,晶圚表面粗糙,凹凸不平,及沾附切屑或污渍,因此先以化学溶液(HF/HNO3)蚀刻(Etching),去除部份切削痕迹,再经去离子纯水冲洗吹干后,进行表面研磨拋光,使晶圆像镜面样平滑,

photoresist lift off

光刻胶剥离

photoresist lacquer 感光尸 | photoresist lift off 光刻胶剥离 | photoresist mask 光致抗蚀剂掩模

negative phototropism

负向光性; 背光性

negative photoresist 负型光刻胶; 负性光致抗蚀剂 | negative phototropism 负向光性; 背光性 | negative picture 底片

photomechanical

光学机械的

photomatrices 光矩阵 | photomechanical 光学机械的 | photometallic etching 光金属蚀刻

photometeor

大气光学现象

photometallicetching 光金属蚀刻 | photometeor 大气光学现象 | photometer 光度计 光度计 分光计 测光仪

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul