光蚀刻
- 与 光蚀刻 相关的网络解释 [注：此内容来源于网络，仅供参考]
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mounting
鑲埋
第二阶段是将实体电路转移到晶圆上,其中包括膜沉积(金属膜,介电质膜..),氧化,扩散,离子布植,微影与光蚀刻技术,等制程方式,重复数十或数百次;第三阶段是积体电路元件的组装(Package),包括切割,镶埋(Mounting),接线,封装,测试
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photoengraving
光刻蚀
photoemulsion 照相乳胶 | photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀
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photoetching
光刻蚀
photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀 | photoexcitation 光激励
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photolithographic mask
光刻用掩模
photolayer 光敏层 | photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清晰度
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photolithographic resolution
光刻蚀清晰度
photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清晰度 | photolithography 光刻法
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photolithographic resolution
光刻蚀清楚度
photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清楚度 | photolithography 光刻法
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spectral sensitivity
光谱灵敏度
通常使用一较短波长的雷射,因为它对光阻计上的涂膜有较高的光谱灵敏度(spectral sensitivity). 暴光之后,利用蚀刻溶剂加以显影,由於过度暴光的区域被蚀刻掉,只留下轻微暴光的区域. 此外,三维电视的观念已经引起很多人的兴趣,
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striation
条纹
于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.
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photoetch method
光刻蚀法
photoengraving 光刻蚀 | photoetch method 光刻蚀法 | photoetched evaporation mask 光刻蒸发掩膜
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photoflood
泛光灯
photofabrication 金属蚀刻晒版法 | photoflood 泛光灯 | photogrammetry 摄影测量术
- 推荐网络解释
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overturned：倒转的
倒转的 inverted | 倒转的 overturned | 倒转点 inversion point
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remind sb of/about sth：使某人想起
9. on the go 忙碌, (整天)奔忙 | remind sb. of / about sth. 使某人想起... | have fun 取乐
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projective limit space：射影极限空间
program space counter 程序空间计数器 | projective limit space 射影极限空间 | projective metric space 射影度量空间