光蚀刻

mounting

鑲埋

第二阶段是将实体电路转移到晶圆上,其中包括膜沉积(金属膜,介电质膜..),氧化,扩散,离子布植,微影与光蚀刻技术,等制程方式,重复数十或数百次;第三阶段是积体电路元件的组装(Package),包括切割,镶埋(Mounting),接线,封装,测试

photoengraving

光刻蚀

photoemulsion 照相乳胶 | photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀

photoetching

光刻蚀

photoengraving 光刻蚀 | photoetching 光刻蚀 | photoexcitation 光激励

photolithographic mask

光刻用掩模

photolayer 光敏层 | photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清晰度

photolithographic resolution

光刻蚀清晰度

photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清晰度 | photolithography 光刻法

photolithographic resolution

光刻蚀清楚度

photolithographic mask 光刻用掩模 | photolithographic resolution 光刻蚀清楚度 | photolithography 光刻法

spectral sensitivity

光谱灵敏度

通常使用一较短波长的雷射,因为它对光阻计上的涂膜有较高的光谱灵敏度(spectral sensitivity). 暴光之后,利用蚀刻溶剂加以显影,由於过度暴光的区域被蚀刻掉,只留下轻微暴光的区域. 此外,三维电视的观念已经引起很多人的兴趣,

striation

条纹

于工作层之最上层上形成光致抗蚀剂以界定蚀刻位置;蚀刻移除工作层未被光致抗蚀剂覆盖之部分以形成开口;于开口侧壁形成一间隔层;以及蚀刻基底对应开口之部分,以形成一浅沟槽. 通过本发明之蚀刻方法,可避免一般掩模蚀刻所造成的条纹(striation)现象.

photoetch method

光刻蚀法

photoengraving 光刻蚀 | photoetch method 光刻蚀法 | photoetched evaporation mask 光刻蒸发掩膜

photoflood

泛光灯

photofabrication 金属蚀刻晒版法 | photoflood 泛光灯 | photogrammetry 摄影测量术

Greco-Latin square：希腊拉丁方格

Granduation of curve 曲线递合 | Greco-Latin square 希腊拉丁方格 | Grand lot 大批

cunningham：帆前角下拉索

斜拉器:kicking strap | 帆前角下拉索:cunningham | 调整索:outhaul