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光刻的

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adherence

粘附性

e,粘附性(Adherence).表征光刻胶粘着于衬底的强度.光刻胶的粘 附性不足会导致硅片表面的图形变形.光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀,离子注入等).

PAC

感光化合物

IC制造中所用光刻胶通常有三种成分:树脂或基体材料、感光化合物(PAC)以及可控制光刻胶机械性能(基体粘滞性)并使其保持液体状态的溶剂 [4]. 正性光刻胶中,PAC在曝光前后发生了从抑制剂到感光增强剂的变化. PAC能抑制树脂溶解,

Reticle

刻线

此外,不仅设计技术不会直接转移至光罩上,光罩刻线(reticle)的形状与刻印在晶圆上的电路也会有所差异,让光罩检验的工作面临严苛的挑战. Numerical的Virtual Stepper软件可支持仿真式的光罩检验作业,能仿真硅组件在光罩以特定蚀刻条件蚀刻后所产生的结果,

scaled geometry

按比例缩小的几何尺寸

scaled down lithography 按比例缩小光刻技术 | scaled geometry 按比例缩小的几何尺寸 | scaled integrated circuit 按比例缩小的集成电路

selectivity

选择比

反应离子刻蚀技术的原理刻蚀精度主要是用保真度(Profile)、选择比(Selectivity)、均匀性(Uniformity)等参数来衡量. 所谓保真度度,就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上,即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜,而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀.

Polishing etches

抛光蚀刻

Polishing抛光 | Polishing etches抛光蚀刻 | Polycrystalline多晶的

pull weekend gigs as a driver

周末兼职司机的外快

You want to clear the air with someone, now's the time.谁想解决个人恩怨趁现在.... | ...pull weekend gigs as a driver.周末兼职司机的外快. | I design silicon lithography for personal gain.设计硅光刻为生...

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